PLASMA PROCESSING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판과, 하부 전극의 기재 또는 그 주변의 구조물과의 사이에서 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 양품률을 향상시켜 생산성의 향상을 도모할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 처리 챔버와, 처리 챔버 내에 마련되고, 고주파 전력이 인가되는 도전성 금속으로 이루어지는 기재를 갖고, 피처리 기판이 탑재되는 탑재대를 겸한 하부 전극과, 처리 챔버 내에 마련되고, 하부 전극과 대향하도록 배치된 상부 전극과, 하부 전극상에, 피처리 기판의 주위를 둘러싸도록 배치된 포커스 링...

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Main Authors OHTANI RYUJI, MIZUKAMI SHUNSUKE, YAMAMOTO TAKASHI, HIGUCHI KIMIHIRO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 06.10.2011
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Summary:본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판과, 하부 전극의 기재 또는 그 주변의 구조물과의 사이에서 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 양품률을 향상시켜 생산성의 향상을 도모할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 처리 챔버와, 처리 챔버 내에 마련되고, 고주파 전력이 인가되는 도전성 금속으로 이루어지는 기재를 갖고, 피처리 기판이 탑재되는 탑재대를 겸한 하부 전극과, 처리 챔버 내에 마련되고, 하부 전극과 대향하도록 배치된 상부 전극과, 하부 전극상에, 피처리 기판의 주위를 둘러싸도록 배치된 포커스 링을 구비한 플라즈마 처리 장치로서, 하부 전극의 기재와 포커스 링 사이에, 전류 제어 소자를 거쳐서 전기적인 접속을 실행하고 전위차에 따라 직류 전류를 발생시키는 전기적 접속 기구가 배치된다. A plasma processing apparatus includes a processing chamber; a lower electrode provided in the processing chamber and having a base made of a conductive metal to which a high frequency power is applied, the lower electrode also serving as a mounting table for mounting thereon a target substrate; an upper electrode provided in the processing chamber to face the lower electrode; and a focus ring disposed above the lower electrode to surround the target substrate. An electrical connection mechanism is provided between the base of the lower electrode and the focus ring to electrically connect the base of the lower electrode to the focus ring through a current control element, and generates a DC current in accordance with a potential difference.
Bibliography:Application Number: KR20110028709