METHOD FOR MANUFACTURING OF LCD

• Main Authors: KIM, HWAN, PARK, GI CHUN, JUNG, YEONG SEOP, YANG, CHANG GUK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 06.07.2004
• Edition: 7
• Subjects: DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PHYSICS; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF

PURPOSE: A method for manufacturing an LCD(Liquid Crystal Display) is provided to form a uniform channel layer in the low temperature state when forming source/drain electrodes by using chromium. CONSTITUTION: A metal film is deposited on a transparent insulation substrate(100) and a photoresist is coated on the metal film. A gate electrode(101) and a gate bus line are formed by exposing, developing and etching the photoresist and the metal film through the first mask. A gate insulation film is coated on the insulation substrate(100) and then an amorphous silicon for forming a channel layer(115) and an n+ doped silicon layer for forming an ohmic contact layer are sequentially coated on the gate insulation film. An active region formed on a TFT(Thin Film Transistor) is etched by using the second mask. Chromium is coated on the entire surface of the insulation substrate(100) and then source/drain electrodes(116a,116b) are formed by exposing, developing and wet-etching through the third mask, thereby forming the TFT device of the LCD. When etching the ohmic contact layer and the channel layer(115), patterned photoresist(200) is coated on the source/drain electrodes(116a,116b) and a dry etching is performed at the low temperature. 본 발명은 액정표시장치의 TFT 채널층 형성 과정에서 소오스/드레인 전극을 크롬(Cr)으로 사용한 경우에도 저온 상태에서 균일한 두께의 채널층을 형성할 수 있는 액정표시장치 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 투명성 절연 기판 상에 금속막을 증착하고 식각하여 게이트 전극과 게이트 버스 라인을 형성하는 제 1 마스크 공정; 상기 게이트 전극과 게이트 전극이 형성된 투명성 절연 기판 상에 게이트 절연막, 아몰포스 실리콘층, N아몰포스 실리콘층을 차례로 증착하여 액티브층을 형성하는 제 2 마스크 공정; 상기 액티브층이 형성된 절연 기판의 전면 상에 크롬을 도포하고, 이를 식각하여 소오스/드레인 전극 및 데이터 버스 라인을 형성하고, 계속하여 건식 식각 챔버 내에서 Cl계열의 가스를 혼합하여 상기 액티브 영역의 N아몰포스 실리콘층과 아몰포스 실리콘층을 연속적으로 식각하여 TFT를 완성하는 제 3 마스크 공정; 상기 TFT가 형성된 절연 기판 상에 보호막을 도포하고 식각하여 콘택홀을 형성하는 제 4 마스크 공정; 및 상기 보호막이 형성된 절연 기판 상에 투명금속을 증착하고 식각하여 화소 전극을 형성하는 제 5 마스크 공정;을 포함하는 것을 특징으로 한다.