2 Semiconductor device including double spacers formed on the side wall of a contact and manufacturing method whereof

• Main Author: JIN, BEOM JUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.06.2004
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: A semiconductor device having a double contact spacer and a manufacturing method thereof are provided to be capable of minimizing the increase of contact resistance. CONSTITUTION: A semiconductor device having a double contact spacer includes a substrate and the first interlayer dielectric formed on the substrate. At this time, the first interlayer dielectric has a contact hole at its inner portion. The semiconductor device further includes the first contact spacer(452a) formed at the inner wall of the contact hole, the second contact spacer(454a) formed on the first contact spacer, and a contact plug(460) formed in the contact hole. At this time, the first and second contact spacer are made of oxide silicon and nitride silicon, respectively. 콘택의 측벽에 산화 실리콘 및 질화 실리콘으로 형성된 2중 콘택 스페이서를 포함하는 반도체 소자 및 그 제조방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 소자의 제조방법에 의하면, 그 하부의 콘택 패드를 노출시키는 콘택 홀을 포함하는 층간 절연막 상에 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 차례대로 형성한 다음, 스페이서 형성 공정을 실시하여 산화 실리콘으로 된 제1 콘택 스페이서 및 질화 실리콘으로 된 제2 콘택 스페이서를 형성한다. 계속해서, 도전 물질을 매립하기 전에 전세정 공정으로 시임 내부 또는 표면에 잔류하는 산화 실리콘을 제거한 다음, 콘택 플러그를 형성한다. 본 발명에 의하면, 반도체 소자에 유전 상수가 큰 질화 실리콘이 잔류하는 것을 방지할 수 있고, 또한 시임 등에 있는 불순물도 용이하게 제거할 수 있다. 아울러, 기생 용량을 감소시켜 반도체 소자의 성능도 개선시킬 수 있다.