Constant Concentration Electro-deposition

• Main Authors: SIN, YONG UN, LEE, JONG DUK, KIM, GEON HO, KIM, HYEON SU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 11.02.2004
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: An electro-deposition method for forming a metal thin film on a semiconductor substrate is provided to be capable of preventing process failure caused by the non-uniformity of the metal thin film. CONSTITUTION: After a semiconductor substrate are cleaned and etched to remove particles and an oxide layer, the semiconductor substrate is transferred into a reaction chamber. Then, a metal thin film having a predetermined thickness is deposited on the upper surface of the semiconductor substrate. At this time, the metal thin film depositing process is directly carried out on the semiconductor substrate without a seed layer by applying a predetermined voltage to a sub-electrode and the semiconductor substrate in electrolyte solution. 본 발명은 전해질 용액을 이용한 금속이온의 환원과정을 통해 피도금체인 반도체 기판상에 박막을 형성하는 전기 화학적인 증착방법으로, 박막성장시 반응용기 내의 금속이온 농도가 일정하게 유지되는 관계로 공급전원의 전압과 전해질내의 저항 및 환류전류가 상호 일정하게 유지되어 씨드층(seed layer)을 구비하지 않아도 반도체 기판위에 직접 양질의 박막 형성을 가능케 한 전기증착 방법에 관한 것인데, 이를 위해 본 발명은 세척; 에칭; 및 불순물과 산화막이 제거된 채 반응챔버로 이송된 반도체 기판의 표면으로 원하는 두께의 금속 박막을 증착하되, 상기 증착은 전해질 용액내에서 금속이온과 동일한 금속전극을 통해 금속이온의 전기증착용 전압을 인가함으로써 씨드층의 구비없이 반도체 기판위에 직접적으로 소정 두께의 균질한 박막층을 형성한 후 표면 전해질 용액의 세척과정이 순차적으로 마련되어 이루어지는 것이다.