Method of forming semiconductor device having contact holes

• Main Authors: JIN, BEOM JUN, JUNG, EUN AE, LEE, MYEONG BEOM, KIM, JIN GYUN, KIM, YEONG PIL
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.01.2004
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: A method of forming semiconductor device is provided to minimize diffusion of an impurity doped in a polysilicon layer which fills contact holes into a diffusion layer exposed by the contact holes. CONSTITUTION: An interlayer dielectric (109) is applied on the whole surface of a semiconductor substrate having an n-type impurity diffusion layer(108). By patterning the interlayer dielectric, a contact hole(110) is formed to expose a desired area of the n-type impurity diffusion layer. A doped polysilicon layer(120) is formed over the semiconductor substrate having the contact holes. The doped polysilicon layer(120) includes at least one polysilicon layer doped by an element having a relatively low diffusion rate compared to phosphorus. 콘텍홀을 갖는 반도체 소자의 형성방법을 제공한다. 이 방법은 n형 불순물확산층을 갖는 반도체기판 전면에 층간절연막을 형성하고, 층간절연막을 패터닝하여 n형 불순물확산층의 소정영역을 노출시키는 콘텍홀을 형성한다. 콘텍홀을 포함하는 반도체기판 전면에 도프트 폴리실리콘막(doped polycrystalline silicon layer)을 형성한다. 이때, 도프트 폴리실리콘막은 적어도 Ⅴ족 원소 중 포스포러스(P;phosphorus)에 비하여 확산 계수가 작은 원소로 도핑된 폴리실리콘막을 포함한다. 이로 인하여, 도프트 폴리실리콘막 내의 불순물이 n형 불순물확산층으로 확산되는 현상을 최소화할 수 있다. 그 결과, 트랜지스터의 소오스영역 및 드레인 영역간의 펀치스루(punch through) 특성을 개선할 수 있다.