Method for fabricating MOS transistor of semiconductor devcie

• Main Authors: JIN, BEOM JUN, KIM, YEONG PIL
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 06.12.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: A method for fabricating a metal oxide semiconductor(MOS) transistor of a semiconductor device is provided to minimize a gate bird's beak phenomenon and a reduction phenomenon of line width of a gate pattern by forming an oxide barrier layer on the sidewall and upper surface of the gate pattern and by performing a rapid thermal process on a semiconductor substrate with the oxide barrier layer. CONSTITUTION: An isolation layer(102) for defining an active region is formed on the semiconductor substrate(101). The gate pattern(106) crossing the active region is formed on the active region. The oxide barrier layer(107) is conformally formed on the front surface of the semiconductor substrate having the gate pattern. A rapid thermal process is performed on the semiconductor substrate with the oxide barrier layer. The oxide barrier layer is formed of an insulation layer that prevents the gate pattern from being oxidized. 모스 트랜지스터의 제조방법을 제공한다. 이 방법은 반도체기판에 활성영역을 한정하는 소자분리막을 형성하는 단계를 포함한다. 활성영역 상에 활성영역을 가로지르는 게이트 패턴을 형성하고, 게이트 패턴을 갖는 반도체기판 전면에 콘포말한 산화방지막을 형성한다. 산화방지막을 갖는 반도체기판에 급속 열공정(RTP; Rapid Thermal Process)을 진행한다. 이때, 산화방지막은 게이트 패턴의 산화를 방지하는 절연막으로 형성한다. 이로 인하여, 게이트 열산화막으로 인한 게이트 패턴의 선폭이 감소하는 현상 및 게이트 버즈빅(gate bird's beak) 현상을 최소화함과 동시에, 식각공정으로 인한 게이트 패턴의 표면을 치유할 수 있다. 그 결과, 모스 트랜지스터의 특성열화를 개선할 수 있다.