NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Authors: KOBAYASHI KIYOTERU, SAKAMOTO OSAMU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 25.06.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: To improve the performance and reliability of a memory transistor in a non-volatile semiconductor memory device and facilitate the miniaturization of the same. CONSTITUTION: The non-volatile semiconductor memory device is provided with a semiconductor substrate 1 having a main surface, N¬+ diffused layers 2-4 formed on the main surface of the semiconductor substrate 1 with a space, a floating gate formed on an area between the N¬+ diffused layers 2, 4 through a silicon oxide film 5, an access gate formed on the area between the N¬+ diffused layers 2, 4 through silicon oxide films 5, 8 so as to be neighbored to the floating gate, and a control gate formed on the floating gate through a layer insulation film 15. The N¬+ diffused layer 2 is provided between the floating gates while the N¬+ diffused layer 4 is provided between the access gates. 불휘발성 반도체 기억 장치에서의 메모리 트랜지스터의 성능을 향상시켜, 신뢰성을 향상시키고, 또한 미세화도 용이하게 한다. 본 발명의 불휘발성 반도체 기억 장치는, 주표면을 갖는 반도체 기판과, 반도체 기판의 주표면에 간격을 두고 형성된 N확산층과, N확산층 사이의 영역 상에 실리콘 산화막을 개재하여 형성된 부유 게이트와, 부유 게이트와 인접하여 N확산층 사이의 영역 상에 실리콘 산화막을 개재하여 형성된 액세스 게이트와, 부유 게이트 상에 층간 절연막을 개재하여 형성된 컨트롤 게이트를 포함한다. N확산층은 부유 게이트 사이에 형성되고, N확산층은 액세스 게이트 사이에 형성된다.