Phase locked dielectric- resonator oscillator using BJT
PURPOSE: A locked-phase dielectric resonator oscillator(DRO) using a BJT(Bipolar Junction Transistor) is provided to improve the operation property by reducing the property difference of an oscillator according to a position of a dielectric resonator. CONSTITUTION: A dielectric resonator(12) is posi...
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
09.06.2003
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Edition | 7 |
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Summary: | PURPOSE: A locked-phase dielectric resonator oscillator(DRO) using a BJT(Bipolar Junction Transistor) is provided to improve the operation property by reducing the property difference of an oscillator according to a position of a dielectric resonator. CONSTITUTION: A dielectric resonator(12) is positioned near the first micro strip line(11). The second micro strip line(13) is arranged in corresponding to the first micro strip line(11) and the dielectric resonator(12) is located between the first and the second micro strip lines(11,13). A BJT transistor(50) includes a collector terminal connected to an end of the first micro strip line(11) to make the first node, a base terminal connected to the second micro strip line(13) to make the second node, and a grounded emitter terminal. An end of the first resistor(61) is connected to the first micro strip line(11). The second resistor(62) is connected to the other end of the first resistor(61) to make the third node. A power unit(V) is connected to the third node to supply power. An end of the third resistor(63) is connected to the second resistor(62) to make the fourth node and the other end thereof is grounded. The fourth resistor(64) is connected between the second node and the fourth node. The third micro strip line(14) is connected to the second node to output an oscillated frequency.
본 발명은 유전체공진발진기에 관한 것으로, 종래의 유전체공진발진기에서 발생하던 위상잡음을 제거하기 위해, 제1마이크로스트립라인과; 상기 제1마이크로스트립라인과 인접하게 위치한 유전체공진자와; 상기 제1마이크로스트립라인과 대응되어 상기 유전체공진자를 사이에 두고 나란히 배치되는 제2마이크로스트립라인과; 상기 제1마이크로스트립라인의 일단과 연결되어 제1노드를 만드는 콜렉터단자와, 상기 제2마이크로스트립라인의 일단과 연결되어 제2노드를 만드는 베이스단자와, 접지된 이미터단자를 가진 궤환증폭용 BJT트랜지스터와; 상기 제1마이크로스트립라인과 일단이 연결된 제1저항과; 상기 제1저항의 타단에 연결되어 제3노드를 만드는 제2저항과; 상기 제3노드에 연결되는 전원 공급을 위한 전원부와; 상기 제2저항과 일단이 연결되어 제4노드를 만들고 타단이 접지되는 제 3저항과; 상기 제2노드와 제4노드 사이에 연결되는 제4저항과; 상기 제2노드에 연결되어 발진된 주파수를 출력하기 위한 제3마이크로스트립라인을 포함하는 위상고정 유전체공진발진기를 제시한다. 상기 본 발명에 따른 위상고정 유전체공진발진기는 동작주파수가 높은 NEC사의 2SC5508 BJT트랜지스터를 사용하여 종래의 FET를 이용한 유전체공진 발진기에 비해 적은 위상잡음 효과를 도출할 수 있도록 하여 공진발진기를 이용하는 회로에 있어 보다 향상된 성능을 유도할 수 있는 장점이 있다. |
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Bibliography: | Application Number: KR20010075267 |