Membrane Sensor Array And Method For Manufacturing The Same

• Main Authors: PANNEK THORSTEN, SIEGEL ROBERT, ARTMANN HANS
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 14.05.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: A membrane sensor array and a manufacturing method thereof are provided to be capable of reducing the fabrication cost of the membrane sensor array and improving the integration degree of the layer sensor array. CONSTITUTION: After supplying a mask for the following step at the upper portion of a semiconductor material supporting body(21) loaded with semiconductor material, a predetermined porous portion is formed at the semiconductor material by using the mask. At this time, the mask is located at the upper portion of the semiconductor material supporting body corresponding to a plurality of strips(23). Then, a plurality of membrane regions(22) are formed. Preferably, an oxide silicon layer, a nitride silicon layer, a carbonated silicon layer, or a composition layer thereof, is used as the mask. 본 발명은 반도체 재료 지지체(21)를 가진 막 센서 어레이의 제조 방법으로서, 상기 지지체 상에 다수의 평면 막 영역(22)이 센서 소자용 지지체 층으로서 배치되고, 상기 평면 막 영역(22)들은 막 영역(22) 및 스트립의 래터럴 주변 보다 현저히 높은 열 전도성을 가진 재료로 이루어진 스트립에 의해 서로 열 분리되는, 막 센서 어레이의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 반도체 재료 지지체에서 열 분리를 위한 스트립이 형성되는 지점에 다공성 반도체 재료를 형성하기 위한 후속 단계용 마스크가 제공되고, 상기 마스크에 의해 보호되지 않은 반도체 영역이 다공화된 다음, 막 영역들이 형성된다. 대안으로서, 다공성 실리콘을 사용하지 않고, 반도체 재료 지지체의 후면의 플라즈마 에칭 공정이 수행된다. 2가지 방법에 의해, 막 센서의 매우 높은 집적도가 얻어질 수 있다. 본 발명은 또한 상기 방법으로 제조된 막 센서 어레이에 관한 것이다.