Fabricating Technology for Thin Film Deposition system using pulsed Laser

• Main Authors: MUN, JONG DAE, YOO, SANG HA, BAEK, HYEONG WON, HONG, KWANG JOON, PARK, CHANG SEON, JUNG, JUN U
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.05.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: Fabricating technology for thin film deposition system using pulsed laser is provided to fabricate a hot wall furnace for growing a perfect single crystal thin film while the heterogeneous particles vaporized by a laser beam are not deposited on a substrate. CONSTITUTION: A deposition sample target(2) is irradiated to deposit a thin film by using pulsed laser beam as an energy source. The hot wall furnace(3) is installed in the front of a deposition substrate(4) to form a single crystal thin film. The deposition substrate is rotated at 2-5 millimeter/hour to fabricate a homogeneous sample by using a direct current(DC) motor and a sprocket. The temperature of the deposition substrate is controlled to fabricate the single crystal thin film by using a temperature controller and the hot wall furnace. 전자 부품 산업 발전으로 박막 제조를 위한 초박막화(Quantum dot), 단결정 박막화(Single crystal thin film), 완전한 단결정 박막(Perfect single crystal thin film)등의 공정 기술이 요구되고 있다. 이들 특성을 만족하기 위해서 증착 시료의 녹는 온도 (melting point)가 높은 반도체, 산화물 증착 시료 타겟(Target)에 펄스 레이저(Pulsed laser)를 조사하여 고 에너지의 레이저 빛이 증착 시료 타겟에 집속되어 레이저 빛의 열과 광에너지에 의해 dielectric breakdown이 유기되고 대부분의 광양자 에너지는 고체 상태의 시료 타겟 물질에 흡수된다.이 흡수된 광자 에너지는 전자와 격자의 진동자에 의해서 증착 시료 타겟 물질의 온도를 급격히 높여 시료 물질을 기화 시켜, 온도 변화 가능한 기판(Substrate)위에 박막(thin film)이 형성 되도록한 펄스 레이저 박막 증착 시스템 ( pulsed Laser Thin Film Deposition system)을 제작한다.