Polymer Resist Composition and Patterning Process

• Main Authors: KINSHO TAKESHI, HASEGAWA KOJI, NISHI TSUNEHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 23.04.2003
• Edition: 7
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CHEMISTRY; CINEMATOGRAPHY; COMPOSITIONS BASED THEREON; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVINGCARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS; MATERIALS THEREFOR; METALLURGY; ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP

PURPOSE: A polymer compound, a resist material using the polymer compound as a base resin and a pattern formation method using the resist material are provided, to improve the sensitivity, the resolution and the etching resistance of a resist material. CONSTITUTION: The polymer compound comprises the repeating unit represented by the formula 1 and the repeating unit having the carboxylic acid protected by an acid-labile protection group containing an adamantane structure or a tetracyclo£4.4.0.1¬(2,5).1¬(7,10)| dodecane structure, and has a weight average molecular weight of 1,000-500,000, wherein R1 is H or a methyl group; R2 is H or a linear, branched or cyclic alkyl group of C1-C8; and R3 is CO2R4 (wherein R4 is a linear, branched or cyclic alkyl group of C1-C15 or a group whose at least one oxygen atom is inserted between its arbitrary carbon-carbon bond of the alkyl group). 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위와 아다만탄(adamantane) 구조 또는 테트라시클로[4.4.0.1.1] 도데칸 구조를 포함하는 산분해성 보호기에 의해 보호된 카르복실산을 갖는 반복 단위를 포함하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 500,000의 고분자 화합물이 개시된다. 또한, 본 발명의 고분자 화합물을 베이스 수지로 한 레지스트 재료는 고에너지선에 감응하여 감도, 해상성, 에칭 내성이 우수하기 때문에, 전자선 및 원자외선에 의한 미세 가공에 유용하다. 식 중, R은 H 또는 CH를 나타내고, R는 H 또는 C의 알킬기를 나타내며, R은 COR를 나타내며, R는 C의 알킬기 또는 이 알킬기의 임의의 탄소-탄소 결합 사이에 1개 또는 여러개의 산소 원자가 결합된 기를 나타낸다.