PLASMA PROCESSING APPARATUS

• Main Authors: SASAKI KAZUO, SUEKI HIDEHITO, NISHIMURA MICHIO, SATOYOSHI TSUTOMU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 08.04.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOIDCHEMISTRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES; THEIR RELEVANT APPARATUS; TRANSPORTING

PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to be capable of preventing foreign substance from being attached at a dielectric part between a high frequency antenna and a plasma generating part. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus(100) is provided with a high frequency antenna(112), a high frequency supply voltage source(160) connected to the high frequency antenna, and a susceptor(106) for loading a process object body. The plasma processing apparatus further includes a dielectric part(120) between the high frequency antenna and the susceptor, a conductive part(170) between the high frequency antenna and the dielectric part, a ground circuit(180) connected to the conductive part, and an inductor(302) installed at the ground circuit. 고주파 안테나(112)와, 고주파 안테나에 접속된 고주파 전원(160)과, 피처리체를 설치하는 서셉터(106)와, 고주파 안테나와 서셉터의 사이에 설치된 유전체 커버(174)와, 고주파 안테나와 유전체의 사이에 설치된 도전체(170)와, 도전체에 접속된 접지 회로(180)와, 접지 회로 중에 설치된 인덕턴스가 가변적인 인덕터(302)와, 커패시턴스가 가변적인 커패시터(304)를 구비한 플라즈마 처리 장치(100)의 인덕턴스 또는 커패시턴스를 조정함으로써, 유전체 커버(174)로의 이물의 부착 속도와 유전체 커버(174)의 스패터 속도가 거의 동등해져, 이 결과 유전체 커버(174)로의 이물의 부착을 방지할 수 있다.