MASK LAYER AND INTERCONNECT STRUCTURE FOR DUAL DAMASCENE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

PURPOSE: Provided is a noble mask layer used in dual damascene construction of an interconnect structure of an integrated circuit device. CONSTITUTION: A mask layer(37) for overlaying a low-permittivity dielectric film(32) comprises a passivation mask film(38) deposited on the low-permittivity diele...

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Main Authors JESSEN SCOTT, OLADEJI ISAIAH O, TAYLOR JOSEPH ASHLEY
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 07.04.2003
Edition7
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:PURPOSE: Provided is a noble mask layer used in dual damascene construction of an interconnect structure of an integrated circuit device. CONSTITUTION: A mask layer(37) for overlaying a low-permittivity dielectric film(32) comprises a passivation mask film(38) deposited on the low-permittivity dielectric film(32), a barrier mask film(39) deposited on the passivation mask film, and a metal mask film(40) deposited on the barrier mask film. The passivation mask film(38) is composed of silicon dioxide or silicon carbonite. Also, the barrier mask film(39) is made of silicon nitride. The metal mask film(40) is composed of refractory metal or metal alloy. 집적 회로 장치의 상호 연결 구조물의 듀얼 대머신 구성에는 새로운 마스크 층이 사용된다. 상호 연결 구조물은 로우-k 유전체를 갖는다. 마스크 층은 로우-k 유전체 상에 증착된 패시베이션 막을 가지며, 장벽 막은 패시베이션 막 위에 증착되고 금속 막은 장벽 막 위에 증착된다. 금속 막은 마스크 층의 전체적인 에칭 선택도를 증가시켜 비아 및 트렌치 피쳐가 듀얼 대머신 프로세스의 에칭 단계 동안 로우-k 유전체로 충실하게 전사되도록 한다.
Bibliography:Application Number: KR20020058854