SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CAPABLE OF REDUCING POWER CONSUMED BY SENSE AMPLIFIER CIRCUIT

• Main Authors: KANG, SANG CHEOL, MO, HYEON SEON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 23.01.2003
• Edition: 7
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

PURPOSE: A semiconductor memory device capable of reducing power consumption of sense amplifier circuit is provided, which is capable of reducing current unnecessarily consumed by a sense amplifier circuit. CONSTITUTION: A sense amplifier circuit(120) senses and amplifies a voltage difference between bit lines(BL,BLB) in response to a signal(PSEN). A precharge and equalization circuit(130) precharges and equalizes output terminals(SAS,SASB) with a power supply voltage in response to the signal(PSEN). A control circuit(140) generates a sense amp enable signal(PSA) and a data output enable signal(PMX) in response to an address transition sense signal(ATD). A detection circuit(150) generates a sense period signal(PSEN) in response to the signals(PSA,PMX). The sense period signal(PSEN) is activated when the enable signal(PMX) is activated, so that a sense operation of the circuit(120) is stopped. The sense period signal(PSEN) is activated when the signals(PSA,PMX) are maintained at different states. A data latch circuit(160) latches an output signal(SASB) of the circuit(120) during a high level of the output signal(PSEN). A data output circuit(170) latches output data of the data latch circuit(160) in response to the data output enable signal(PMX). 여기에 개시되는 반도체 메모리 장치는 감지 구간 신호에 응답하여 데이터 저장 영역으로부터 데이터를 감지 증폭하는 감지 증폭 회로를 포함한다. 감지 증폭 회로에는 데이터 래치 회로가 연결되며, 데이터 래치 회로는 감지 구간 신호에 응답해서 감지 증폭 회로의 출력을 래치한다. 감지 구간 신호는 검출 회로에 의해서 생성되고, 상기 검출 회로는 감지 증폭 인에이블 신호의 활성화 시점과 데이터 출력 인에이블 신호의 활성화 시점 사이에서 상기 감지 구간 신호가 활성화되게 한다. 이러한 감지 증폭 제어 스킴에 따르면, 감지 증폭 회로에 의해서 불필요하게 소모되는 전류를 줄일 수 있다.