A SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Author: ONO SYOTARO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.01.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: To provide a semiconductor device such as a power MOSFET capable of reducing ON resistance by effectively lowering drift resistance components. CONSTITUTION: The semiconductor device is provided with a first conductivity type drain layer (12), a first conductivity type drift layer (8) on it, a second conductivity type base layer (10) on it, a first conductivity type source region (16) on it, and a trench gate provided with a gate insulation film (2) and a gate electrode (4) formed on the inner wall surface of a trench (T) to the drift layer through the base layer. The gate insulation film (2) is formed thicker at a part adjacent to the drift layer than at a part adjacent to the base layer. The drift layer (8) is provided with density gradation that a first conductivity type impurity density rises as approaching the drain layer along the depthwise direction of the trench near the drain layer. 본 발명은, 드리프트 저항성분을 효과적으로 떨어뜨리는 것에 의해 온저항을 대폭적으로 절감시킬 수 있는 파워 MOSFET 등의 반도체장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 제1도전형 드레인층(12)과, 이 위의 제1도전형 드리프트층(8), 이 위의 제2도전형 베이스층(10), 이 위의 제1도전형 소스영역(16) 및, 베이스층을 관통하여 상기 드리프트층에 도달하는 트렌치(T)의 내벽면에 형성된 게이트절연막(2)과 게이트전극(4)을 갖춘 트렌치ㆍ게이트를 구비하고, 게이트절연막(2)은 베이스층에 인접한 부분 보다도 드리프트층에 인접한 부분에서 두껍게 형성되고, 드리프트층(8)은 드레인층의 근방에서 상기 트렌치의 깊이 방향을 따라 상기 드레인층에 가까워짐에 따라 상기 제1도전형 불순물농도가 상승하는 농도 구배를 갖춘 반도체장치를 제공한다.