NONVOLATILE MEMORY AND METHOD OF PROGRAMMING FOR NONVOLATILE MEMORY

• Main Authors: KURATA HIDEAKI, YOSHIDA KEIICHI, KANAMITSU MICHITAROU, NOZOE ATSUSHI, TAKASE YOSHINORI, KUBOSHI SHOUJI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 13.09.2002
• Edition: 7
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

PURPOSE: To solve such a problem that in a conventional writing method of a flash memory, as the more storage capacity of a memory array is increased, the longer length of a bit line is made, load capacity of a bit line is made larger and a time required for reaching the prescribed potential of the bit line is made longer, a time required for writing is made longer and power consumption is increased. CONSTITUTION: In a non-volatile memory having an AND type memory array in which plural memory cells are connected in parallel between a local bit line and a local drain line, a local drain line is precharged by supplying comparatively high voltage from a common drain line side (opposite side of main bit line), while 0 V or comparatively low voltage is applied to the main bit line in accordance with write data, after performing selection pre-charge, write voltage is applied to a word line and writing is performed, a drain current is made to flow in only a selection memory cell being desired to perform writing, and generated hot electrons are injected into a floating gate. 종래의 플래시 메모리의 기입 방식에 있어서는, 메모리 어레이의 기억 용량이 증가될수록 비트선의 길이가 길어져 비트선의 수도 많아지기 때문에, 비트선의 부하 용량이 커져 비트선이 소정의 전위에 도달하기까지의 시간이 길어지게 되어 기입 소요 시간이 길어짐과 함께, 소비 전력도 많아지는 과제가 있었다. 복수의 메모리 셀이 로컬 비트선과 로컬 드레인선 사이에 병렬로 접속되어 이루어진 AND형의 메모리 어레이를 갖는 불휘발성 기억 장치에 있어서, 공통 드레인선측(메인 비트선의 반대측)으로부터 비교적 높은 전압을 공급하여 로컬 드레인선을 프리차지함과 함께, 메인 비트선에는 기입 데이터에 따라 0V 또는 비교적 작은 전압을 인가하여 선택 프리차지를 행한 후, 워드선에 기입 전압을 인가하여 기입을 행하고 싶은 선택 메모리 셀에만 드레인 전류를 흘려 발생한 열 전자를 부유 게이트에 주입시키도록 하였다.