SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING VARACTOR DEVICES

• Main Authors: OTSUKA KANJI, USAMI TAMOTSU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 22.04.2002
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PULSE TECHNIQUE; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: A semiconductor integrated circuit having varactor device is provided to switch a transistor at a high speed by providing a circuit for pumping charges up or down compulsorily in the quantity required for turning the transistor ON or OFF. CONSTITUTION: A CMOS line driver(10) is made up of p- and nMOS transistors(11,12). A pMOS varactor is interposed between the source of the pMOS transistor(11) and a power supply, while an nMOS varactor is interposed between the source of the nMOS transistor(12) and ground. The sizes of each of these MOS varactors may be the same as those of the p- or nMOS transistor(11,12). Alternatively, each of these MOS varactors may have a channel area twice greater than that of the p- or nMOS transistor(11,12). The inverted version of a signal input to the line driver is supplied to the gates of the MOS varactors. In this manner, the MOS transistors(11,12), making up the line driver, can switch at a high speed. 트랜지스터의 상태천이에 필요한 전하를 강제적으로 펌프업, 펌프다운하는 회로를 설치함으로써, 당해 트랜지스터의 고속 스위칭을 실현하는 것을 목적으로 한다. pMOS 트랜지스터(11)와 nMOS 트랜지스터(12)에 의해 신호 Din을 입력으로 하고, 신호 Dout를 출력으로 하는 CMOS 구성의 라인 드라이버(10)를 구성한다. pM0S 트랜지스터(11)의 소스와 전원 Vdd 사이에 pM0S 버랙터(13)를, nMOS 트랜지스터(12)의 소스와 접지 Vss 사이에 nM0S 버랙터(14)를 각각 개재시킨다. 양 MOS 버랙터(13, 14)는 각각 pMOS 트랜지스터(11) 및 nMOS 트랜지스터(12)와 완전히 동일한 치수구조 내지는 2배의 채널면적을 갖는다. 양 MOS 버랙터(13, 14)의 각각의 게이트에는 입력신호 Din의 반전신호 XDin을 부여한다.