IMAGE SENSOR

PURPOSE: An image sensor is provided to obtain a voltage signal corresponding to the quantity of incident light, even if the sensor current was rapidly changed, so as to eliminate the possibility of occurrence of afterglow of each pixel even at a small quantity of incident light. CONSTITUTION: In a...

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Main Authors FUEKI NOBUHIRO, KURITA JIRO, SHINOTSUKA SUKEYUKI, TAKEBE KATSUHIKO
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 13.04.2002
Edition7
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Summary:PURPOSE: An image sensor is provided to obtain a voltage signal corresponding to the quantity of incident light, even if the sensor current was rapidly changed, so as to eliminate the possibility of occurrence of afterglow of each pixel even at a small quantity of incident light. CONSTITUTION: In a photo sensor circuit, a photo diode(PD) produces a sensor current proportional to the quantity of incident light(Ls). A transistor(Q1) converts the sensor current flowing in the photo diode into a corresponding voltage signal(Vpd) using a logarithmic output characteristic in a weak inversion state. A transistor(Q2) amplifies the voltage signal. A MOS type transistor(Q3) outputs a sensor signal according to timing pulse of a read signal(VS). And a unit for changing over a drain voltage(VD) of the MOS type transistor for each light sensor circuit to a value lower than a normal value for a specified time to remove a charge accumulated in a parasitic capacity(C) of the photo diode to initialize the circuit before detecting a light signal. 픽셀의 어레이를 형성하도록 배치된 광 센서회로로서, 각 광 센서회로는 광전변환소자에서 이에 떨어지는 광량에 비례하는 센서전류를 생성하고, 약 반전상태에서 로그출력특성을 갖는 MOS 형 트랜지스터에 의해 센서 전류를 전압신호로 변환할 수 있는, 광 센서회로로 이루어지는 이미지 센서로서, 각 광 센서회로에 대하여 트랜지스터의 드레인 전압을 지정된 시간동안 정상 값 보다 낮은 값으로 변화시켜, 광전변환소자의 기생용량에 축적된 전하를 제거하여, 광 신호 검출전 회로를 초기화하는 수단을 포함하는 이미지 센서가 개시된다. 본 이미지 센서로는 센서전류가 빠르게 변화할지라도, 입사광의 광량에 해당하는 전압신호를 얻을 수 있어, 입사광의 광량이 적을 때도 각 픽셀의 후광의 발생 가능성을 제거할 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR20010020655