HIGH FREQUENCY POWER AMPLIFIER MODULE AND WIRELESS COMMUNICATION APPARATUS

• Main Authors: TSUTSUI TAKAYUKI, ADACHI TETSUAKI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.03.2002
• Edition: 7
• Subjects: AMPLIFIERS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; CONTROL OF AMPLIFICATION; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRICITY; TRANSMISSION

PURPOSE: To provide a simple high-frequency power amplifier in which the GSM(global system for mobile communications) and the EDGE(enhanced data rates for GSM evolution), whose gains are considerably different from each other, are incorporated. CONSTITUTION: In the high frequency power amplifier of a multi-stage amplifier configuration that is used for a GSM mode or an EDGE mode through switching, a 1st stage amplifier consists of a dual-gated MOSFET, in the EDGE mode, an APC(automatic power control) signal or a selected and fixed level is applied to a 1st gate electrode of the dual-gated MOSFET, a fixed level or the APC signal is applied as a Vgs (Vgs1, Vgs2, Vgs3) of each TR from the 1st stage to the 3rd stage, so as to match the gain in the EDGE mode with a gain in the GSM mode so, for reducing generation of noise. 이득이 큰 폭으로 다른 GSM 시스템과 EDGE 시스템을 단일의 고주파 전력증폭장치에 삽입한다. 전환에 의해 GSM 모드와 EDGE 모드로 사용하는 다단 증폭구성의 고주파 전력증폭장치에 있어서, 초단 증폭기를 듀얼 게이트 MOSFET로 구성하고, EDGE 모드에서는, 듀얼 게이트 MOSFET의 제1 게이트 전극에 APC 신호 또는 선택 고정하는 전위를 공급함과 동시에, 초단에서 3단의 각 트랜지스터의 Vgs(Vgs1, Vgs2, Vgs3)를 전위고정 또는 APC 신호를 공급하며, EDGE 모드에서의 이득을 GSM 모드의 이득에 마추도록하여, 이것에 의해 노이즈의 발생을 절감시킨다.