Resist Composition and Patterning Process

• Main Authors: KUSAKI WATARU, NAGURA SHIGEHIRO, WATANABE OSAMU, MAEDA KAZUNORI, TAKEDA TAKANOBU, HIRAHARA KAZUHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 21.02.2002
• Edition: 7
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CINEMATOGRAPHY; COMPOSITIONS BASED THEREON; COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVINGCARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS; MATERIALS THEREFOR; METALLURGY; ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; USE OF INORGANIC OR NON-MACROMOLECULAR ORGANIC SUBSTANCES ASCOMPOUNDING INGREDIENTS

PURPOSE: To provide a chemical amplification positive type resist material having high contrast between the velocity of alkali dissolution before exposure and that after exposure, high sensitivity, high resolution, a good pattern shape after exposure, superior etching resistance and superior adaptability to a process. CONSTITUTION: The resist material contains a high molecular compound having repeating units of formula (1) (where R1-R3 are each H or methyl; Z is a 2-10C linear, branched or cyclic alkylene; R4 is H, a 1-10C linear, branched or cyclic alkyl or an oxygen-containing 1-10C linear, branched or cyclic alkyl; R5 is a 5-20C tertiary alkyl; (p), (q) and (r) are each a positive number and p+q+r=1) and having a weight average molecular weight of 1,000-500,000. 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 갖는 중량 평균 분자량 1,000 내지 500,000의 고분자 화합물을 포함하는 레지스트 재료에 관한 것이다. 또한 본 발명의 레지스트 재료는 노광 전후의 알칼리 용해 속도 콘트라스트가 매우 높고, 고감도, 고해상성을 가지며, 노광 후의 패턴 형상이 양호하고, 우수한 에칭 내성 및 공정 적응성을 갖는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료로서 바람직하다. <화학식 1> 식 중, R, R, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, Z는 탄소수 2 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬렌기를 나타내며, R는 수소 원자, 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기, 또는 산소 원자를 포함하는 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기를 나타내고, R는 탄소수 5 내지20의 3급 알킬기를 나타내며, p, q, r은 양수이고, p+q+r=1을 만족하는 수이다.