TRENCH FIELD SHIELD IN TRENCH ISOLATION

• Main Authors: RADENS CARL, DIVAKARUNI RAMACHANDRA, TONTI WILLIAM R, GAMBINO JEFFREY P, KIEWRA EDWARD W, MANDELMAN JACK A
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 05.01.2002
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: Provided is a structure and method for a semiconductor device which includes a substrate comprising trenches, a plurality of devices on the substrate isolated by the trenches, conductive sidewall spacers within the trenches, and an insulator filling the trenches between the conductive sidewall spacers. CONSTITUTION: A method of fabricating a semiconductor device includes forming a plurality of trenches in a substrate, forming a plurality of devices on a substrate, forming an insulating layer on the surface of the trenches, filling the trenches with a conductor, and etching the conductor from the trench to form conductive side wall spacers. Each of the sidewall spacers is individually capacitively coupled to an adjacent device. 트렌치를 포함하는 기판, 트렌치에 의해 분리되는 기판상의 복수의 디바이스, 트렌치내의 도전성 측벽 스페이서, 및 도전성 측벽 스페이서간의 트렌치를 채우는 절연체를 포함하는 반도체 장치용 방법 및 구조. 제1 도전성 측벽 스페이서는 상기 복수의 디바이스 중 제1 디바이스에 전기적으로 접속되고, 제2 도전성 측벽 스페이서는 상기 복수의 디바이스 중 제2 디바이스에 전기적으로 접속된다. 제1 디바이스는 제2 디바이스와는 독립적으로 바이어싱될 수 있다. 컨택트는 기판의 표면상으로 확장된다. 제1 컨택트는 제1 디바이스와 제1 도전성 측벽 스페이서와 접촉한다. 절연체는 도전성 측벽 스페이서를 분리한다. 제1 컨택트는 제1 도전체와 제2 도전체 사이에서 등거리일 수도 있다. 도전성 측벽 스페이서는 필드 실드를 포함한다.