SOLID STATE IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Authors: YAMASHITA HIROFUMI, INOUE IKUKO, NOZAKI HIDETOSHI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 29.10.2001
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: A solid state imaging device having a photodiode and a mosfet and method of manufacturing the same is provided to be capable of improving the performance of elements. CONSTITUTION: A readout gate electrode(13a) is selectively formed on a silicon substrate. An N-type drain region(14a) is formed at one end of the readout gate electrode(13a), and an N-type signal storage region(15) is formed at the other end thereof. A P(+)-type surface shield region(21a) is selectively epitaxial-grown on the signal storage region(15), and a silicide block layer(19) is formed on the surface shield region(21a) to cover at least part of the signal storage region(15). A Ti silicide film(33a) is selective epitaxial-grown on the drain region(14a). 저전원 전압화에 의해 전위 장벽이 더욱 높아지게 되어, 잔상이나 잡음이 한층 증가했다. 이와 같이, 종래의 고체 촬상 장치에서는 소자가 미세화 및 저전원 전압화의 요구에 의해 생기고 있는 유사 신호나 전위 장벽의 문제를 해결하여, 소자의 성능을 향상시킨다. 실리콘 기판 상에 판독 게이트 전극(13a)이 선택적으로 형성되고, 이 판독 게이트 전극(13a)의 일단에 N형 드레인 영역(14a)이 형성되어 있다. 또한, 판독 게이트 전극(13a)의 타단에 N형 신호 축적 영역(15)이 형성되어 있다. 이 신호 축적 영역(15) 상에는 P형의 표면 실드 영역(21a)이 선택 에피택셜 성장시켜 형성되어 있고, 이 표면 실드 영역(21a) 상에는 실리콘 산화막과 실리콘 질화막으로 이루어지고 신호 축적 영역(15)의 적어도 일부를 덮는 실리사이드 블록층(19)이 형성되어 있다. 드레인 영역(14a) 상에는 Ti 실리사이드막(33a)이 형성되어 있다.