SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE

• Main Author: KONISHI TOMOHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.10.2001
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: To provide a solid image pickup device, which can realize arbitrary thin-out rate and can change frame rate, solution or the like easily, by only changing the drive conditions without forming a complicated wiring structure of a vertical transfer electrode. CONSTITUTION: This solid-state image pickup device is provided with a sweep-off rate 8 and a sweep-off drain 9 placed adjacently to the junction part of a vertical CCD 2 and a horizontal CCD 3 and has the structure, by which the charges stored in an arbitrary pixel 1 can be made depleted completely. Reading can be done at an arbitrary thin-out rate only by changing the driving conditions of the weep-off gate 8. A vertical transfer electrode 6 has the same wiring structure as that of a still mode (normal reading), without requiring the conventional complicated wiring structure of a vertical transfer electrode and can realize an arbitrary thin-out rate as well as the easy change of frame rate, solution or the like. 고체촬상장치는 수직 CCD(2)와 수평 CCD(3)의 접속부에 인접하게 제공된 배출 게이트(8)와 배출 드레인(9)을 가지며, 임의의 화소(1)에 축적된 전하를 완전 공지화할 수 있는 구조를 가진다. 이 배출 게이트(8)의 구동조건을 변경하는 것 만으로 임의의 데시메이션 비율로 데이터를 독출할 수 있다. 수직전송전극(6)이 종래와 같이 수직전송전극의 배선구조를 복잡하게 할 필요 없이, 스틸 모드(통상 독출)와 동일의 배선구조대로 유지될 때 프레임 레이트 및 해상도 등을 용이하게 변경할 수 있다. 따라서, 고체촬상장치는 복잡한 수직전송전극의 배선구조를 필요로 하지 않고 구동조건을 변경하는 것 만으로 임의의 데시메이션 비율을 실현하고, 프레임 레이트, 해상도 등을 용이하게 변경할 수 있다.