METHOD OF FORMING INTERCONNECT

• Main Authors: HATTORI TSUKASA, UEDA TETSUYA, MATSUDA TAKASHI, MASUDA HIROSHI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 25.07.2001
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: A wiring forming method is provided to prevent the increase of the wiring resistance or wire breaking due to etching residues in the dual damascene method. CONSTITUTION: The wiring forming method includes the steps of applying a negative type resist(18) for leaving exposed portions undeveloped over the entire surface of a layer insulation film(17) including through-holes(17a), exposing negative type resist exposing parts(18) using an exposure mask(30) for negative type resists with a first trench pattern transferred by chromium, etc., wherein negative type resist non-exposing parts(18A) filled in the through-holes(17a) are not irradiated with an exposing light in the exposure using the mask(30), and developing the resist(18) to form a mask pattern(18C) having the second trench pattern and also to remove the resist non-exposing parts(18A) filled in the through-holes(17a) because the non-exposing parts(18A) filled in the holes(17a) are unexposed. 본 발명은 듀얼 다마신(dual damascene)법에서의 에칭 잔류부에 의한 배선의 고저항화 또는 단선을 방지할 수 있는 배선형성방법에 관한 것이다. 먼저, 층간절연막(17) 상에 스루홀(17a)을 포함하는 전면에 걸쳐, 노광부분이 현상되지 않고 남는 네거티브형 레지스트(18)를 도포한다. 이어서, 제 2 트렌치 패턴이 크롬 등으로 전사된 네거티브형 레지스트용의 노광 마스크(30)를 이용하여 네거티브형 레지스트 노광부(18B)를 감광한다. 이 때, 노광 마스크(30)를 이용하여 노광하면 스루홀(17a)에 충전된 네거티브형 레지스트 미노광부(18A)는 노광광이 조사되지 않는다. 다음으로, 네거티브형 레지스트(18)를 현상함으로써 상기 네거티브형 레지스트(18)로부터 제 2 트렌치 패턴을 갖는 마스크 패턴(18C)이 형성되는 동시에, 스루홀(17a)의 내부에 충전된 네거티브형 레지스트 미노광부(18A)가 감광되어 있지 않으므로 제거된다.