NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

• Main Author: NOGUCHI MITSUHIRO
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 25.07.2001
• Edition: 7
• Subjects: INFORMATION STORAGE; PHYSICS; STATIC STORES

PURPOSE: A non-volatile semiconductor memory is provided to improve data write-in speed and to prevent deterioration of a data holding characteristic. CONSTITUTION: The non-volatile semiconductor memory has first memory cell units(3) provided respectively at intersections of a first data transfer line(1) and plural data selecting lines, second memory cell units(3) provided respectively at intersection of a second data transfer line(2) plural data selecting lines(6), and a write-in data latch(4) connected to one end of the data transfer line(1). Further, the device is provided with a data transfer line switch(5) inserted between the other end of the data transfer line(1) and one end of the data transfer line(2), at the time of write-in of data, the switch(5) is made a cut off state, one line of first data selecting lines(6) for selecting the memory cell units and one line of the second data selecting lines(6) for selecting the memory cell units are simultaneously selected. 데이터 기입 속도를 향상시킴과 함께, 데이터 보유 특성의 악화를 방지한다. 불휘발성 반도체 기억 장치에 있어서, 제1 데이터 전송선(1)과 복수의 데이터 선택선(6)의 교점에 각각 설치한 제1 메모리셀 유닛(3: a11, a12)을 갖는다. 제2 데이터 전송선(2)과 복수의 데이터 선택선(6)의 교점에 각각 설치한 제2 메모리셀 유닛(3: a21, a22)을 갖는다. 데이터 전송선(1)의 일단에 접속된 기입 데이터 래치(4)를 갖는다. 데이터 전송선(1)의 타단과 데이터 전송선(2)의 일단 사이에 삽입된 데이터 전송선 스위치(5)를 구비하고 데이터 기입시에 있어서 스위치(5)를 차단 상태로 하고 메모리셀 유닛(a11, a12)을 선택하기 위한 제1 데이터 선택선(6)의 1개와 메모리셀 유닛(a21, a22)을 선택하기 위한 제2 데이터 선택선(6)의 1개를 동시에 선택한다.