MAGNETIC ELEMENT WITH IMPROVED FIELD RESPONSE AND FABRICATING METHOD THEREOF

• Main Authors: SLAUGHTER JON, SHI JING, TEHRANI SAIED, CHEN EUGENE
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 25.06.2001
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INDUCTANCES; INFORMATION STORAGE; INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORDCARRIER AND TRANSDUCER; MAGNETS; MEASURING; MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES; PHYSICS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES; SEMICONDUCTOR DEVICES; STATIC STORES; TESTING; TRANSFORMERS

PURPOSE: An improved magnetic element with improved field response whereby a reduction in Neel coupling is achieved is provided to improve switching characteristics for MRAM bits and induce more ideal response in sensor applications. CONSTITUTION: An improved and novel device and fabrication method for a magnetic element, and more particularly a magnetic element(10) including a first electrode(14), a second electrode(18) and a spacer layer(16). The first electrode(14) includes a fixed ferromagnetic layer(26). A second electrode(18) is included and comprises a free ferromagnetic layer(28). A spacer layer(16) is located between the fixed ferromagnetic layer(26) and the free ferromagnetic(28) layer, the spacer layer(16). At least one additional layer(20,22) is provided between the base metal layer(13) and the spacer layer(16). The base metal layer(13) or at least one of the layers positioned between the base metal layer(13) and the spacer layer(16) having an x-ray amorphous structure such that a reduced topological coupling strength between the free ferromagnetic layer(28) and the fixed ferromagnetic layer(26) is achieved. 본 발명은 자기 소자, 보다 상세하게는 제 1 전극(14), 제 2 전극(18) 및 스페이서층(16)을 포함하는 자기 소자(10)용의 개선된 새로운 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 제 1 전극(14)은 고정된 강자성층(26)을 포함한다. 제 2 전극(18)이 포함되며, 상기 전극(18)은 자유 강자성층(28)을 포함한다. 스페이서층(16)은 고정된 강자성층(26)과 자유 강자성층(28) 사이에 위치한다. 적어도 하나의 부가 층(20 및 22)은 베이스 금속층(13)과 스페이서층(16) 사이에 제공된다. 자유 강자성층(28)과 고정된 강자성층(26) 사이의 감소된 위상 결합 강도가 달성되도록, 베이스 금속층(13), 또는 상기 베이스 금속층(13)과 스페이서층(16) 사이에 위치한 적어도 하나의 층이 x-선 비결정 구조를 갖는다.