CVD APPARATUS PURGING METHOD THEREOF METHOD FOR DETERMINING MAINTENANCE TIME FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS MOISTURE MONITORING APPARATUS AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS HAVING SAME

• Main Authors: SATOU TAKAYUKI, MASUSAKI HIROSHI, HASEGAWA HIROYUKI, YAMAOKA TOMONORI, ISHIHARA YOSHIO, SUZUKI KATSUMASA, TOKUNAGA HIROKI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.04.2001
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; CHEMISTRY; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; COATING METALLIC MATERIAL; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL; METALLURGY; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION

PURPOSE: A moisture sampling device and a semiconductor manufacturing device equipped with a device are provided to measure the moisture content in a corrosive gas even in processing which preventing blocking in a pipe. CONSTITUTION: A moisture monitoring device is provided with the pipe(9) one end of which is connected to a reaction chamber(1) to which the corrosive gas is made to flow, and a moisture meter which is connected to the other end of the pipe(9), and measures the moisture content in the corrosive gas introduced from the reaction chamber(1). This device is also provided with at least a pipe heating mechanism(20) which heats the pipeline(9). 보수 후의 퍼지 처리를 효율적으로 행할 수 있는 동시에, 퍼지 처리의 완료를 확실하게 알 수 있어 퍼지 처리에 필요한 시간을 단축하여 CVD 장치의 기동을 행하므로, 보수 후의 가열 유통 퍼지 처리시에 열전도율이 높은 가스와 불활성 가스를 혼합한 가스를 퍼지 가스로서 사용한다. 반도체막 형성 전의 퍼지 처리는 진공 흡인과 불활성 가스의 도입을 복수회 반복하여 행한다. 또한, 반응실 내에서 부식성 가스 처리를 행하는 반도체 제조 장치의 적절한 보수 시기를 판단하기 위해, 상기 부식성 가스 처리를 행하고 있을 때에 상기 반응실(1)에 접속된 수분계(5)로 반응실(1) 내의 수분 농도를 계측하고, 부식성 가스 처리를 반복하여 행한 때의 수분 농도의 변화에 따라서 상기 반도체 제조 장치의 보수 시기를 결정한다. 또한, 수분 모니터링 장치 및 이를 구비한 반도체 제조 장치에 있어서, 배관의 폐쇄를 방지하여 프로세스 중에서도 부식성 가스의 수분을 계측하기 위해, 부식성 가스가 흐르게 되는 반응실(1)에 일단부가 접속된 배관(9)과, 상기 배관의 타단부에 접속되어 상기 반응실로부터 도입되는 부식성 가스에 포함되는 수분을 계측하는 수분계를 구비한 수분 모니터링 장치(25)는 적어도 상기 배관을 가열하는 배관 가열 기구(20)를 구비하고 있다.