PROBE CARD AND METHOD OF TESTING WAFER HAVING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: A probe card and a method for testing wafer on which plural semiconductor device are formed are provided to obtain both a probe card capable of obtaining satisfactory contact at all times with each chip and the electrode pads of a CPS without using a multilayer ceramic substrate or anisotro...

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Main Authors YOSHIDA EIJI, KONNO YOSHITO, MARUYAMA SHIGEYUKI, YODA TOSHIYUKI, KAWAHARA TOSHISANE, NAGAE KENICHI, KOIZUMI DAISUKE, WATANABE NAOYUKI
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 15.03.2001
Edition7
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Summary:PURPOSE: A probe card and a method for testing wafer on which plural semiconductor device are formed are provided to obtain both a probe card capable of obtaining satisfactory contact at all times with each chip and the electrode pads of a CPS without using a multilayer ceramic substrate or anisotropic conductive rubber at the time of testing chips and CSPs in a wafer state, capable of adapting to narrow electrode pitches, and superior in durability at the time of high temperatures and a method for testing wafers on which a plurality of semiconductor devices are formed. CONSTITUTION: The probe card for testing a wafer having a plurality of semiconductor chips, said probe card comprising: a contact electrode disposed at a location opposite from an electrode on one of the chips; a substrate; an internal terminal disposed on the substrate, a first wiring having a first portion connected to the contact electrode, a level transitioning portion extending from a level of the first portion to the substrate at a lower level, and a connecting terminal at an end of the level transitioning portion connected to the internal terminal; an external terminal disposed at a periphery of the substrate and connected with the internal terminal via a second wiring; and a board having a third wiring connecting the external terminal on the substrate to an external connecting terminal on the board. 본 발명은 칩이나 CSP를 웨이퍼 상태에서 시험할 때에, 다층 세라믹 기판이나 이방성 도전 고무를 사용하지 않고, 각 칩이나 CSP의 전극 패드와 항상 양호한 콘택트가 얻어지고, 또는 좁은 전극 피치에 대응할 수 있고, 또는 고온시의 내구성이 뛰어난 프로브 카드 및 복수의 반도체 장치가 형성된 웨이퍼의 시험 방법을 제공하는 것이다. 복수의 반도체 칩이 형성된 웨이퍼의 시험을 하는 프로브 카드로서, 플렉시블 기판과, 상기 플렉시블 기판면상에 형성되고 상기 칩의 전극의 위치와 대응한 위치에 설치된 콘택트 전극과, 일단이 상기 콘택트 전극과 접속되고 타단이 상기 콘택트 전극의 주변에 유도된 제1 배선과, 상기 웨이퍼와 반대측의 상기 플렉시블 기판에 설치된 다층 기판과, 상기 다층 기판 상에 설치되는 내부 단자와, 상기 다층 기판의 주위에 설치되고 상기 내부 단자와 제2 배선으로 접속된 외부 단자와, 일단이 상기 외부 단자와 접속되고 타단이 외부 접속 단자에 접속되는 제3 배선이 설치된 보드를 가지고, 상기 제1 배선이 상기 플렉시블 기판과 상기 다층 기판 간의 단차를 넘어 그 타단에 위치하는 접속 단자에 유도되어 상기 내부 단자와 접합되는 것을 특징으로 하는 프로브 카드에 의하여 과제는 해결된다.
Bibliography:Application Number: KR20000028570