ETCHING METHOD AND ETCHING MASK

• Main Author: KASHIWABARA KEIICHIROU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.03.2001
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES, OR VITREOUSENAMELS; CHEMISTRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; GLASS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS; METALLURGY; MINERAL OR SLAG WOOL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS,MINERALS OR SLAGS; SURFACE TREATMENT OF GLASS

PURPOSE: An etching method is provided to use the hard mask, wherein the hard mask is formed of a material which is high in adhesion with respect to an electrode material and does not have complicated formation and removal processes through a simple process and whose selection ratio of etching to the electrode material is high. CONSTITUTION: A TiSiN(titanium silicide nitride) film or a laminated film of TiSiN film and TiSi film is used as a hard mask. A TiSiN film 1a is superior in adhesion to a metal(2) and high in etching selectivity to the metal(2), and TiSi is higher in etching selectivity to the metal(2) than TiSiN, so that these materials are used as an etching mask, and by which a mask pattern is hardly separated from a metal, even in the case where metal such as Pt or the like is used as the material for an electrode, and a hard mask patterning itself is facilitated. If a TiSiN film is used as a barrier metal layer(3), processes where a hard mask and a barrier metal layer are formed and removed can be carried out quickly. 전극 재료에 대하여 밀착성이 높고 또한 전극 재료에 대하여 에칭 선택비가 높고 더구나 형성 및 제거의 공정이 복잡하지 않은 재료를 하드 마스크에 이용한 에칭 방법을 실현한다. 하드 마스크에 TiSiN(규화 질화 티탄)막 또는 TiSiN막과 TiSi막과의 적층막을 이용한다. TiSiN막(1a)은 금속(2)으로의 밀착성이 좋으며 더구나 금속에 대한 에칭 선택성이 높은 재료이며 또한 TiSi는 TiSiN보다도 더 금속에 대한 에칭 선택성이 높은 재료이므로, 이들 재료를 에칭 마스크로 하여 이용함으로써, 종래 하드 마스크로서 채용되어 있던 SiO막 등이 갖는 문제점을 해소할 수 있다. 또한, 배리어 메탈층(3)에도 TiSiN막을 채용하면, 하드 마스크와 배리어 메탈층의 형성 및 제거의 공정에서 프로세스를 신속하게 진행시킬 수 있다.