CAPACITOR AND METHODS OF FORMING A CAPACITOR

PURPOSE: The means forming a capacitor is provided to restrict oxidation of the inner capacitor plate side wall during formation of the capacitor dielectric plate under normal processing condition. CONSTITUTION: A capacitor includes an inner capacitor plate(60) having at least one side wall; an oxid...

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Main Authors GRAETTINGER, THOMAS, M, SCHUELE, PAUL, J, MCCLURE, BRENT
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 25.04.2000
Edition7
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Abstract PURPOSE: The means forming a capacitor is provided to restrict oxidation of the inner capacitor plate side wall during formation of the capacitor dielectric plate under normal processing condition. CONSTITUTION: A capacitor includes an inner capacitor plate(60) having at least one side wall; an oxidation barrier layer(70) positioned in covering relation to the at least one side wall; a capacitor dielectric plate(90) positioned over the inner capacitor plate(100); an outer capacitor plate positioned over the capacitor dielectric plate. An insulating dielectric layer (80) which has a different composition than the oxidation barrier layer(70) is positioned on the oxidation barrier layer (70). A method for forming a capacitor includes forming a substrate (30) having a node location to which electrical connection to a capacitor is to be made; forming an inner capacitor plate (60) over the node location, the inner capacitor plate having an exposed side wall (61); forming an oxidation barrier layer (70) over the exposed inner capacitor plate side wall; forming a capacitor dielectric plate (90) over the inner capacitor plate, the oxidation barrier layer; forming an outer capacitor plate (100) over the capacitor dielectric plate. 커패시터(capacitor)를 형성하는 방법은, 커패시터로의 전기적 연결을 만드는 노드 위치(node location)를 가지는 서브스트레이트(30)(substrate)를 형성하는 단계 ; 노드 위치의 위에 있는, 겉으로 드러난 측벽(側壁)(61)을 가지는 내부 커패시터 플레이트(60)(inner capacitor plate)를 형성하는 단계 ; 겉으로 드러난 내부 커패시터 플레이트 측벽(側壁)의 위에 있는 산화 배리어 레이어(70)(oxidation barrier layer)를 형성하는 단계 ; 내부 커패시터 플레이트의 위에 있는 커패시터 유전체 플레이트(90)(capacitor dielectric plate)를 형성하는 단계 - 산화 배리어 레이어는 커패시터 유전체 플레이트의 형성 중(中)에 내부 커패시터 플레이트 측벽의 산화 작용을 제한하고 - ; 그리고 커패시터 유전체 플레이트의 위에 있는 외부 커패시터 플레이트(100)를 형성하는 단계 ; 등을 포함한다. 하나 이상의 측벽(側壁)을 가지는 내부 커패시터 플레이트 ; 하나 이상의 측벽을 덮는 관계로 위치된 산화 배리어 레이어 ; 내부 커패시터 플레이트의 위에 위치되는 커패시터 유전체 플레이트 ; 커패시터 유전체 플레이트의 위에 위치되는 외부 커패시터 플레이트 등을 포함하는 커패시터(capacitor)를 덧붙여서 기술(記述)한다. 본 발명의 선호되는 형(型)에 있어서, 절연(絶緣)하는 유전체 레이어(80)(insulating dielectric layer)는 산화 배리어 레이어(70)(oxidation barrier layer)의 위에 위치되는데, 절연(絶緣)하는 유전체 레이어는 산화 배리어 레이어와 달리 서로 다른 합성물을 포함하고 있다.
AbstractList PURPOSE: The means forming a capacitor is provided to restrict oxidation of the inner capacitor plate side wall during formation of the capacitor dielectric plate under normal processing condition. CONSTITUTION: A capacitor includes an inner capacitor plate(60) having at least one side wall; an oxidation barrier layer(70) positioned in covering relation to the at least one side wall; a capacitor dielectric plate(90) positioned over the inner capacitor plate(100); an outer capacitor plate positioned over the capacitor dielectric plate. An insulating dielectric layer (80) which has a different composition than the oxidation barrier layer(70) is positioned on the oxidation barrier layer (70). A method for forming a capacitor includes forming a substrate (30) having a node location to which electrical connection to a capacitor is to be made; forming an inner capacitor plate (60) over the node location, the inner capacitor plate having an exposed side wall (61); forming an oxidation barrier layer (70) over the exposed inner capacitor plate side wall; forming a capacitor dielectric plate (90) over the inner capacitor plate, the oxidation barrier layer; forming an outer capacitor plate (100) over the capacitor dielectric plate. 커패시터(capacitor)를 형성하는 방법은, 커패시터로의 전기적 연결을 만드는 노드 위치(node location)를 가지는 서브스트레이트(30)(substrate)를 형성하는 단계 ; 노드 위치의 위에 있는, 겉으로 드러난 측벽(側壁)(61)을 가지는 내부 커패시터 플레이트(60)(inner capacitor plate)를 형성하는 단계 ; 겉으로 드러난 내부 커패시터 플레이트 측벽(側壁)의 위에 있는 산화 배리어 레이어(70)(oxidation barrier layer)를 형성하는 단계 ; 내부 커패시터 플레이트의 위에 있는 커패시터 유전체 플레이트(90)(capacitor dielectric plate)를 형성하는 단계 - 산화 배리어 레이어는 커패시터 유전체 플레이트의 형성 중(中)에 내부 커패시터 플레이트 측벽의 산화 작용을 제한하고 - ; 그리고 커패시터 유전체 플레이트의 위에 있는 외부 커패시터 플레이트(100)를 형성하는 단계 ; 등을 포함한다. 하나 이상의 측벽(側壁)을 가지는 내부 커패시터 플레이트 ; 하나 이상의 측벽을 덮는 관계로 위치된 산화 배리어 레이어 ; 내부 커패시터 플레이트의 위에 위치되는 커패시터 유전체 플레이트 ; 커패시터 유전체 플레이트의 위에 위치되는 외부 커패시터 플레이트 등을 포함하는 커패시터(capacitor)를 덧붙여서 기술(記述)한다. 본 발명의 선호되는 형(型)에 있어서, 절연(絶緣)하는 유전체 레이어(80)(insulating dielectric layer)는 산화 배리어 레이어(70)(oxidation barrier layer)의 위에 위치되는데, 절연(絶緣)하는 유전체 레이어는 산화 배리어 레이어와 달리 서로 다른 합성물을 포함하고 있다.
Author GRAETTINGER, THOMAS, M
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