CAPACITOR AND METHODS OF FORMING A CAPACITOR
PURPOSE: The means forming a capacitor is provided to restrict oxidation of the inner capacitor plate side wall during formation of the capacitor dielectric plate under normal processing condition. CONSTITUTION: A capacitor includes an inner capacitor plate(60) having at least one side wall; an oxid...
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Main Authors | , , |
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Format | Patent |
Language | English Korean |
Published |
25.04.2000
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Edition | 7 |
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Summary: | PURPOSE: The means forming a capacitor is provided to restrict oxidation of the inner capacitor plate side wall during formation of the capacitor dielectric plate under normal processing condition. CONSTITUTION: A capacitor includes an inner capacitor plate(60) having at least one side wall; an oxidation barrier layer(70) positioned in covering relation to the at least one side wall; a capacitor dielectric plate(90) positioned over the inner capacitor plate(100); an outer capacitor plate positioned over the capacitor dielectric plate. An insulating dielectric layer (80) which has a different composition than the oxidation barrier layer(70) is positioned on the oxidation barrier layer (70). A method for forming a capacitor includes forming a substrate (30) having a node location to which electrical connection to a capacitor is to be made; forming an inner capacitor plate (60) over the node location, the inner capacitor plate having an exposed side wall (61); forming an oxidation barrier layer (70) over the exposed inner capacitor plate side wall; forming a capacitor dielectric plate (90) over the inner capacitor plate, the oxidation barrier layer; forming an outer capacitor plate (100) over the capacitor dielectric plate.
커패시터(capacitor)를 형성하는 방법은, 커패시터로의 전기적 연결을 만드는 노드 위치(node location)를 가지는 서브스트레이트(30)(substrate)를 형성하는 단계 ; 노드 위치의 위에 있는, 겉으로 드러난 측벽(側壁)(61)을 가지는 내부 커패시터 플레이트(60)(inner capacitor plate)를 형성하는 단계 ; 겉으로 드러난 내부 커패시터 플레이트 측벽(側壁)의 위에 있는 산화 배리어 레이어(70)(oxidation barrier layer)를 형성하는 단계 ; 내부 커패시터 플레이트의 위에 있는 커패시터 유전체 플레이트(90)(capacitor dielectric plate)를 형성하는 단계 - 산화 배리어 레이어는 커패시터 유전체 플레이트의 형성 중(中)에 내부 커패시터 플레이트 측벽의 산화 작용을 제한하고 - ; 그리고 커패시터 유전체 플레이트의 위에 있는 외부 커패시터 플레이트(100)를 형성하는 단계 ; 등을 포함한다. 하나 이상의 측벽(側壁)을 가지는 내부 커패시터 플레이트 ; 하나 이상의 측벽을 덮는 관계로 위치된 산화 배리어 레이어 ; 내부 커패시터 플레이트의 위에 위치되는 커패시터 유전체 플레이트 ; 커패시터 유전체 플레이트의 위에 위치되는 외부 커패시터 플레이트 등을 포함하는 커패시터(capacitor)를 덧붙여서 기술(記述)한다. 본 발명의 선호되는 형(型)에 있어서, 절연(絶緣)하는 유전체 레이어(80)(insulating dielectric layer)는 산화 배리어 레이어(70)(oxidation barrier layer)의 위에 위치되는데, 절연(絶緣)하는 유전체 레이어는 산화 배리어 레이어와 달리 서로 다른 합성물을 포함하고 있다. |
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Bibliography: | Application Number: KR19980710676 |