PLASMA ETCHING METHOD

플라즈마 식각 방법이 개시된다. 플라즈마 식각 방법은 액상의 헵타플루오로이소프로필 메틸 에테르(HFE-347mmy)를 증기화시키는 제1 단계, 상기 증기화된 HFE-347mmy와 산소 가스 및 아르곤 가스를 포함하는 방전가스를 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 공급하는 제2 단계, 및 상기 방전가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 이를 이용하여 상기 식각 대상을 플라즈마 식각하는 제3 단계를 포함할 수 있다. A plasma etching method is disclosed. The plasma etching method may...

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Main Authors SUN EUN JAE, KIM CHANG KOO, YOU SANG HYUN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 21.08.2024
Subjects
ADHESIVES
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CHEMISTRY
DYES
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE
METALLURGY
MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS
MISCELLANEOUS COMPOSITIONS
NATURAL RESINS
PAINTS
POLISHES
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:플라즈마 식각 방법이 개시된다. 플라즈마 식각 방법은 액상의 헵타플루오로이소프로필 메틸 에테르(HFE-347mmy)를 증기화시키는 제1 단계, 상기 증기화된 HFE-347mmy와 산소 가스 및 아르곤 가스를 포함하는 방전가스를 식각 대상이 배치된 플라즈마 챔버에 공급하는 제2 단계, 및 상기 방전가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 이를 이용하여 상기 식각 대상을 플라즈마 식각하는 제3 단계를 포함할 수 있다. A plasma etching method is disclosed. The plasma etching method may comprise: a first step of vaporizing liquid heptafluoroisopropyl methyl ether (HFE-347mmy); a second step of supplying a discharge gas containing the vaporized HFE-347mmy, oxygen gas, and argon gas to a plasma chamber where an object to be etched is placed; and a third step of discharging the discharge gas to generate plasma, and subjecting the object to be etched to plasma etching using the plasma.
Bibliography:Application Number: KR20230030171