SKYRMION MEMORY DEVICE AND CROSS-BAR ARRAY CIRCUIT USING THE SAME

본 발명은 스커미온(Skyrmion) 메모리 소자 및 이를 이용한 크로스바 어레이 회로에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예에 따른 스커미온 메모리 소자는 스커미온(skyrmion)을 생성하는 미세 전극 및 상기 생성된 스커미온의 크기 및 개수의 제어 및 검출하는 자기 터널 접합을 포함하고, 상기 자기 터널 접합은 씨드층, 합성교환 반자장층, 브릿지층, 고정층, 터널 배리어층, 삽입층 및 자유층을 포함하며, 상기 미세 전극은 하부 전극과 상부 전극을 통해 전압 펄스가 인가되면 상기 자유층에서 상기 스커미온을 생성하고, 상기 전압 펄스...

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Main Authors PARK JEA GUN, MOON KYOUNG WOONG, CHOI JIN YOUNG, JUN HAN SOL, HWANG CHAN YONG, YANG SEUNG MO, CHOI YO HAN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 12.08.2024
Subjects
ELECTRICITY
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Summary:본 발명은 스커미온(Skyrmion) 메모리 소자 및 이를 이용한 크로스바 어레이 회로에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예에 따른 스커미온 메모리 소자는 스커미온(skyrmion)을 생성하는 미세 전극 및 상기 생성된 스커미온의 크기 및 개수의 제어 및 검출하는 자기 터널 접합을 포함하고, 상기 자기 터널 접합은 씨드층, 합성교환 반자장층, 브릿지층, 고정층, 터널 배리어층, 삽입층 및 자유층을 포함하며, 상기 미세 전극은 하부 전극과 상부 전극을 통해 전압 펄스가 인가되면 상기 자유층에서 상기 스커미온을 생성하고, 상기 전압 펄스의 크기, 상기 삽입층의 두께 및 상기 삽입층의 형성 물질의 종류 중 적어도 하나에 기반하여 상기 생성된 스커미온의 크기 및 개수를 제어될 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR20230036282