SKYRMION MEMORY DEVICE AND CROSS-BAR ARRAY CIRCUIT USING THE SAME

본 발명은 스커미온(Skyrmion) 메모리 소자 및 이를 이용한 크로스바 어레이회로에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예에 따른 스커미온 메모리 소자는 스커미온(skyrmion)을 형성하는 저항 변화 수직 전극, 상기 형성된 스커미온을 이동시키는 스커미온 채널층 및 상기 스커미온 채널층을 포함하고, 상기 이동된 스커미온을 감지(sensing)하여 자유층과 고정층의 자화 방향에 따라 저저항 상태 및 고저항 상태 중 어느 하나의 상태로 결정되는 자기 터널 접합을 포함하고, 상기 스커미온 채널층은 스핀 토크(spin orbit torqu...

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Main Authors PARK JEA GUN, MOON KYOUNG WOONG, CHOI JIN YOUNG, JUN HAN SOL, HWANG CHAN YONG, YANG SEUNG MO, KWON HO JUNG, LEE SO HYUN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 12.08.2024
Subjects
ELECTRICITY
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Summary:본 발명은 스커미온(Skyrmion) 메모리 소자 및 이를 이용한 크로스바 어레이회로에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예에 따른 스커미온 메모리 소자는 스커미온(skyrmion)을 형성하는 저항 변화 수직 전극, 상기 형성된 스커미온을 이동시키는 스커미온 채널층 및 상기 스커미온 채널층을 포함하고, 상기 이동된 스커미온을 감지(sensing)하여 자유층과 고정층의 자화 방향에 따라 저저항 상태 및 고저항 상태 중 어느 하나의 상태로 결정되는 자기 터널 접합을 포함하고, 상기 스커미온 채널층은 스핀 토크(spin orbit torque, SOT) 채널층, 상기 자유층, 삽입층 및 터널 배리어층을 포함하며, 상기 삽입층의 두께 및 형성 물질의 종류에 기반하여 상기 이동된 스커미온의 크기 및 개수가 제어됨에 따라 상기 자유층의 면적이 제어될 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR20230036278