Optical synaptic device and Method for fabricating the same

The present invention relates to an optical synaptic device with an excellent amplification factor and reaction speed and a manufacturing method thereof and, more specifically, to an organic semiconductor thin film transistor of a vertical structure and a manufacturing method thereof. The optical sy...

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Main Authors JEONGHYUN, LIM KYUNG GEUN
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 30.08.2023
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Summary:The present invention relates to an optical synaptic device with an excellent amplification factor and reaction speed and a manufacturing method thereof and, more specifically, to an organic semiconductor thin film transistor of a vertical structure and a manufacturing method thereof. The optical synaptic device comprises: a substrate; a first electrode layer arranged on the substrate; an organic dielectric layer arranged on the first electrode layer; a second electrode layer arranged on the organic dielectric layer and including a plurality of pinholes; an organic semiconductor layer arranged on the second electrode layer; and a third electrode layer arranged on the organic semiconductor layer. The organic dielectric layer includes an organic dielectric substance with a dipole moment of 1.6D or higher. 본 발명은 반도체 소자 및 반도체 소재에 관한 것으로, 보다 상세하게는 수직 구조의 유기 반도체 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이며, 기판과; 상기 기판 상에 배치되는 제1 전극층과; 상기 제1 전극층 상에 배치되는 유기물 유전체층과; 상기 유기물 유전체층 상에 배치되고 복수개의 핀홀을 포함하는 제2 전극층과; 상기 제2 전극층 상에 배치되는 유기 반도체층; 및 상기 유기 반도체층 상에 배치되는 제3 전극층;을 포함하며, 상기 유기물 유전체층은 1.6D 이상의 쌍극자 모멘트를 가진 유기물 유전체를 포함하는 광학 시냅스 소자 및 제조방법을 제공한다.
Bibliography:Application Number: KR20220189178