Method of manufacturing an infrared sensing device including a multi-channel detection element

• Main Authors: LEE SANG JUN, LEE CHANG SUG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 28.06.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; COLORIMETRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT,POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED,VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; MEASURING; PHYSICS; RADIATION PYROMETRY; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

Provided is a method for manufacturing an infrared sensing device including a plurality of channel detection elements. According to embodiments of the present invention, the method comprises the steps of: forming an epitaxial layer on a first substrate; forming a lower DBR on the epitaxial layer; forming cavity layers on the lower DBR; differently forming the heights of the cavity layers to correspond to a plurality of element regions; etching the cavity layers, the lower DBR, and the epitaxial layer to correspond to a plurality of detection regions respectively defined within the element regions; depositing an upper DBR on a protective layer for the epitaxial layer and the cavity layers; and forming a plurality of detection elements corresponding to the detection regions. Therefore, the efficiency of a manufacturing process can increase. 복수 채널 검출 소자를 포함하는 적외선 센싱 장치의 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 적외선 센싱 장치의 제조 방법은 제1 기판 상에 에피텍셜층을 형성하는 단계, 상기 에피텍셜층 상에 하부 DBR을 형성하는 단계, 상기 하부 DBR 상에 캐비티층을 형성하는 단계, 복수의 소자 영역에 대응하여 상기 캐비티층의 높이가 상이하도록 형성하는 단계, 상기 복수의 소자 영역 내부에 각각 정의된 복수의 검출 영역에 대응하도록 상기 캐비티층, 하부 DBR 및 에피텍셜층을 식각하는 단계, 상기 에피텍셜층에 대한 보호층과 상기 캐비티층 상에 상부 DBR을 증착하는 단계 및 상기 복수의 검출 영역에 대응하는 복수의 검출 소자를 구성하는 단계를 포함한다.