Silicon Carbide power semiconductor device with hybrid channel structure and manufacturing method thereof

• Main Authors: YUN CHONGMAN, KIM SOO SEONG, JUNG JIN YOUNG, OH KWANG HOON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 09.01.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Disclosed is a silicon carbide power semiconductor device with a hybrid channel structure. The silicon carbide power semiconductor device comprises: an active cell area; and an edge termination area disposed outside the active cell area. In the active cell area, vertical gate transistor cells (trench gate-type TR) and horizontal gate transistor cells (planar gate-type TR) are arranged at a predetermined arrangement ratio, and the threshold voltage values of the vertical gate transistor cells and the horizontal gate transistor cells are set differently. Therefore, the excellent characteristics of the vertical and horizontal gate transistor cells can be combined and utilized. 하이브리드 채널 구조를 가지는 실리콘 카바이드 전력 반도체 장치가 개시된다. 실리콘 카바이드 전력 반도체 장치는 액티브 셀 영역과 상기 액티브 셀 영역의 바깥쪽에 배치되는 에지 터미네이션 영역을 포함하되, 상기 액티브 셀 영역에는 수직형 게이트 트랜지스터 셀(Trench gate-type TR)들과 수평형 게이트 트랜지스터 셀(Planar gate-type TR)들이 미리 지정된 배치 비율로 배열되고, 상기 수직형 게이트 트랜지스터 셀과 상기 수평형 게이트 트랜지스터 셀의 문턱 전압값은 상이하게 설정된다.