Ferroelectric memory device and method of fabricating the same

• Main Author: KWON DAE WOONG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 17.11.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

A ferroelectric memory device according to one aspect of the present invention includes: a semiconductor channel layer spaced apart from each other on a base layer and extended in at least one direction; an internal electrode layer formed to penetrate the gap and surround a portion of the semiconductor channel layer; a gate insulating layer between the semiconductor channel layer and the internal electrode layer; a ferroelectric layer formed on the internal electrode layer to surround upper and side surfaces of a portion of the semiconductor channel layer; and a gate electrode layer formed on the ferroelectric layer to surround upper and side surfaces of a portion of the semiconductor channel layer. 본 발명의 일 관점에 의한 강유전체 메모리 소자 는, 베이스층 상에 갭을 갖도록 이격 배치되며, 적어도 일 방향으로 신장된 반도체 채널층과, 상기 갭을 관통하여 상기 반도체 채널층의 일부분을 한바퀴 둘러싸도록 형성된 내부 전극층와, 상기 반도체 채널층 및 상기 내부 전극층 사이의 게이트 절연층과, 상기 반도체 채널층의 일부분의 상면 및 측면들을 둘러싸도록, 상기 내부 전극층 상에 형성된 강유전체층과, 상기 반도체 채널층의 일부분의 상면 및 측면들을 둘러싸도록, 상기 강유전체층 상에 형성된 게이트 전극층을 포함한다.