Power semiconductor device with reduced loss and manufacturing method the same

• Main Authors: YUN CHONGMAN, KIM SOO SEONG, JUNG JIN YOUNG, OH KWANG HOON
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 10.06.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

감소된 손실을 가지는 전력 반도체 장치 및 그 제조 방법이 개시된다. 전력 반도체 장치는 제1 도전형의 제1 드리프트 영역; 상기 제1 드리프트 영역의 상부에 에피텍셜 성장되어 형성되는 제1 도전형의 제2 드리프트 영역; 및 상기 제2 드리프트 영역의 내부에 매립되도록 형성되는 제2 도전형의 매립된 이온 영역을 포함한다. Power semiconductor device with reduced loss and manufacturing method the same disclosed. Power semiconductor device include a first drift region of a first conductivity type, a second drift region of the first conductivity type formed by epitaxially growing on the first drift region and a plurality of buried ion regions of a second conductivity type formed to be buried in the second drift region.