Resist mask controlled collapse lithography and structure manufactured using the same

The present invention relates to resist masks, collapse control lithography capable of controlling tilting direction (or collapsing direction) of a moving layer, and structures manufactured using the same. According to one aspect of the present invention, a resist mask comprises: a substrate; and a...

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Main Authors KIM IN KI, RHO JUN SUK
Format Patent
LanguageEnglish
Korean
Published 07.02.2022
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Summary:The present invention relates to resist masks, collapse control lithography capable of controlling tilting direction (or collapsing direction) of a moving layer, and structures manufactured using the same. According to one aspect of the present invention, a resist mask comprises: a substrate; and a resist layer provided on an upper side of the substrate. At least a portion of the resist layer is inclined from a direction perpendicular to the substrate, so a portion of the resist layer has an interval of less than 10 nm from an adjacent resist layer. 본 발명은 레지스트 마스크, 쓰러짐 제어 리소그래피 및 이를 이용해 제작된 구조체에 관한 것이다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 기판; 및 상기 기판의 상측에 제공되는 레지스트층을 포함하고, 상기 레지스트층의 적어도 일부분이 상기 기판과 수직하는 방향으로부터 기울어짐으로써, 상기 레지스트층의 일부분은 인접하는 레지스트층과 10nm 미만의 간격을 갖도록 제공되는 레지스트 마스크가 제공될 수 있다.
Bibliography:Application Number: KR20200121349