APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

• Main Authors: CHOI SUK YOUNG, SON SUNG HOON, HYUNG JOO LEE, KIM SEONG YOON, KIM SUHYEON, JEONG MIN GYO, SHIN IN KYUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 07.01.2022
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; CINEMATOGRAPHY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS

Disclosed is a semiconductor device manufacturing apparatus comprising a light source and a photomask. The photomask comprises a transparent substrate, a phase shift film disposed on the transparent substrate, and a light blocking film disposed on the phase shift film. The phase shift film contains 1 to 10 atomic% of a transition metal. When a PE_1 value is 1.5 eV, and a PE_2 value is a minimum value among photon energies at a point where a Del_1 value expressed by equation 1 becomes 0, the photomask has an average value of Del_1 of 85 to 100 °/eV. In the equation 1, after removing the light blocking film from the photomask, when the phase shift film surface is measured with a spectral ellipse analyzer at an incident angle of 64.5°, if the phase difference between a P wave and an S wave of reflected light is 180° or less, a DPS_p value is the phase difference between the P wave and the S wave, and if the phase difference exceeds 180°, the DPS_p value is a value obtained by subtracting the phase difference between the P wave and the S wave from 360°. A PE value is the photon energy of the incident light within the range of PE_1 to PE_2. The semiconductor device manufacturing apparatus has desired optical characteristics with respect to light of a short wavelength while the phase shift film has a thin thickness. 구현예는 반도체 소자 제조장치 등에 대한 것으로, 광원 및 포토마스크를 포함하고, 포토마스크는 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 배치되는 위상반전막 및 상기 위상반전막 상에 배치되는 차광막을 포함하며, 위상반전막은 전이금속을 1 내지 10원자% 포함하고, PE1 값이 1.5eV이고, PE2 값이 식 1로 표시되는 Del_1 값이 0이 되는 점에서의 포톤 에너지 중 최소값일 때, 포토마스크는 Del_1의 평균값이 85 내지 100°/eV인 반도체 소자 제조장치 등을 개시한다. [식 1] JPEG112021023246936-pat00007.jpg1047 상기 식 1에서, DPSp 값은, 포토마스크에서 차광막을 제거한 후, 입사각을 64.5°로 적용하여 위상반전막 표면을 분광타원해석기로 측정 시, 반사광의 P파 및 S파간 위상차가 180° 이하이면 상기 P파 및 S파간 위상차이고, 반사광의 P파와 S파의 위상차가 180° 초과이면 360°에서 상기 P파 및 S파간 위상차를 뺀 값이다. PE값은 PE1 내지 PE2 범위 내에서의 입사광의 포톤 에너지이다. 이러한 반도체 소자 제조장치 등은 위상반전막이 얇은 두께를 가지면서 단파장의 광에 대하여 목적하는 광학 특성을 가질 수 있다.