Light-Emitting Diode Having Transparent conductive electrodes to improve the light extraction efficiency

• Main Authors: SEONG, TAE YEON, KIM, DAE HYUN, CHOI, BYOUNG JUN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 11.04.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention provides a light emitting diode (LED) device having an electrode for improving light extraction efficiency, capable of improving a light loss due to the upper electrode of a p-side up structure LED. According to one embodiment of the present invention, the LED device comprises: a conductive substrate; a metallic reflection layer disposed on the conductive substrate; a transparent insulation layer disposed on the metallic reflection layer; an n ohmic contact plug disposed in the lower part of a plurality of through holes formed on the transparent insulation layer; an n-type GaAs plug disposed on the upper part of the through holes; an n cladding layer disposed on the transparent insulation layer; an active layer disposed on the n cladding layer; a p cladding layer disposed on the active layer; a p-type GaP window layer disposed on the p cladding layer; a p ohmic contact pattern disposed on the p-type GaP window layer; a transparent conductive metallic oxide film pattern disposed on the p ohmic contact layer; and a p electrode pad disposed on the transparent conductive metallic oxide film. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 소자는 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 배치된 금속 반사층; 상기 금속 반사층 상에 배치된 투명 절연층; 상기 투명 절연층에 형성된 복수의 관통홀의 하부에 배치된 n 오믹 콘택 플러그; 상기 관통홀의 상부에 배치된 n형 갈륨 아세나이드(GaAs) 플러그; 상기 투명 절연층 상에 배치된 n 클래딩 층; 상기 n 클래딩 층 상에 배치된 활성층; 상기 활성층 상에 배치된 p 클래딩 층; 상기 p 클래딩 층 상에 배치된 p형 GaP 창문층; 상기 p형 GaP 창문층 상에 배치된 p 오믹 콘택 패턴; 상기 p 오믹 콘택층 상에 배치된 투명 전도성 금속 산화막 패턴; 및 상기 투명 전도성 금속 산화막 상에 배치된 p 전극 패드를 포함한다.