DEVICE AND METHOD FOR PLASMA STATUS MEASURING OF PLASMA PROCESSING CHAMBER

• Main Authors: ALEXEY KALININ, NIKOLAY NIKISHIN
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 04.02.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

The present invention relates to a device and a method for analyzing a plasma state of a plasma processing chamber. The device includes a plasma process chamber which generates plasma, and processes a substrate; a light collection part which collects light in the plasma process chamber; a spectroscope which analyzes the spectrum of collected light; and an analysis part which detects the intensity of light emission beams of predetermined different wavelengths from the spectrum of analyzed light, and analyzes a plasma state in the plasma process chamber based on the intensity of the light emission beams. 본 발명은 플라즈마 처리 장치의 플라즈마 상태 분석 장치 및 방법에 관한 것으로, 플라즈마를 발생하여 기판을 처리하는 플라즈마 처리 챔버; 플라즈마 처리 챔버 내의 광을 수집하는 광수집부; 수집된 광의 스펙트럼을 분석하는 분광기; 및 분석된 광의 스펙트럼으로부터 미리 결정된 서로 다른 파장의 광 방출 선들의 세기를 검출하고, 광 방출 선들의 세기에 기초하여 플라즈마 처리 챔버 내의 플라즈마 상태를 분석하는 분석부를 포함하는 플라즈마 처리 장치를 개시한다.