반도체장치의제조방법

본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 소스전극, 게이트전극 및 드레인전극을 포함하는 반도체기판 상에 티타늄막을 형성시킨 후, 상기 티타늄막 상에 질화티타늄막을 형성시키는 단계; 상기 티타늄막 및 질화티타늄막이 순차적으로 형성된 반도체기판을 어닐시키는 단계; 및 상기 반도체기판 상에 형성된 질화티타늄막을 제거시킨 후, 상기 질화티타늄막의 제거로 노출되는 티타늄막을 이용하여 상기 소스전극, 게이트전극 및 드레인전극 상에 티타늄실리사이드막을 형성시키는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다. 따라서, 소스전극,...

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Main Author LEE, YUN SEOP
Format Patent
LanguageKorean
Published 07.07.2005
Edition7
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 소스전극, 게이트전극 및 드레인전극을 포함하는 반도체기판 상에 티타늄막을 형성시킨 후, 상기 티타늄막 상에 질화티타늄막을 형성시키는 단계; 상기 티타늄막 및 질화티타늄막이 순차적으로 형성된 반도체기판을 어닐시키는 단계; 및 상기 반도체기판 상에 형성된 질화티타늄막을 제거시킨 후, 상기 질화티타늄막의 제거로 노출되는 티타늄막을 이용하여 상기 소스전극, 게이트전극 및 드레인전극 상에 티타늄실리사이드막을 형성시키는 단계를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다. 따라서, 소스전극, 게이트전극 및 드레인전극 상에 티타늄실리사이드막을 정확하게 형성시킬 수 있어 이로 인한 불량을 방지함으로써 반도체장치의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.
Bibliography:Application Number: KR19970054557