MASK USED FOR FORMING PATTERN AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

• Main Authors: LIM, SEONG CHUL, MUN, SEONG YONG
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 10.10.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: A mask used for forming a pattern and a manufacturing method thereof are provided to be capable of reliably forming the pattern on a semiconductor substrate. CONSTITUTION: A mask used for forming a pattern is provided with a transparent substrate(30), a phase shifter(32) formed on the transparent substrate for shifting the phase of transmitting light, and a light transmissivity control part(36) formed on the phase shifter. At this time, the light transmissivity control part is capable of making the first light transmissivity of the first mask region corresponding to the first wafer region smaller than the second light transmissivity of the second mask region corresponding to the second wafer region. At the time, the step of the first wafer region is larger than that of the second wafer region. Preferably, the light transmissivity control part is a light transmissivity control layer formed at the first mask region alone. 하프톤형 위상반전 마스크를 이용하여 반도체기판에 패턴을 형성하는 패턴형성방법, 이에 사용되는 마스크 및 그 제조방법에 관하여 기재되어 있다. 이는 반도체 기판 상에, 패터닝될 피식각층을 형성하는 단계와 피식각층 상에 반사방지층을 형성하는 단계와, 반사방지층 상에 감광막을 형성하는 단계, 및 마스크를 이용하여 사진식각을 행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 단차 부위에서의 난반사로 인한 사이드 - 롭 현상을 방지할 수 있으므로 신뢰성있는 패턴형성을 가능하게 한다.