METHOD FOR ANNEALING DIELECTRIC FILM OF CAPACITOR

• Main Authors: HONG, SEONG HUN, JANG, MYEONG SIK, YANG, YE SEOK
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 26.03.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

PURPOSE: A method for annealing a dielectric film of a capacitor is provided to be capable of simplifying annealing processes by irradiating laser into the dielectric film using N2O or O2 gas. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(2) having a contact hole is formed on a semiconductor substrate(1). A storage node(3) is formed on the resultant structure including the contact hole. A dielectric film(4) is formed on the resultant structure. The dielectric film(4) is then annealed by irradiating excimer laser into the dielectric film at atmosphere of N2O or O2 gas. At the time, a Ta2O5 film is used as the dielectric film(4). 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 반도체 소자 제조 방법 2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 캐패시터의 유전층으로 산화탄탈막을 형성한 후 어닐링을 실시하는데 그 방법으로 범용되는 고온 어닐링 방법과 활성종 산소 어닐링 방법을 사용하면 폴리실리콘층과 산화탄탈막층의 계면에 산화막이 형성되어 비유전율이 감소되거나, 오존가스 또는 저압 수은 램프를 이용하여야 하므로 반도체 기판에 불필요하게 고온이 가해져 소자가 불량해진다는 문제점을 해결하고자 함. 3. 발명의 해결방법의 요지 캐패시터의 유전층으로 산화탄탈막을 사용하는 경우에 아산화질소 또는 산소가스의 분위기에서 레이저를 유전층에 평행하게 또는 수직으로 조사함으로써, 간단한 공정으로 캐패시터의 유전층을 어닐링하고자 함. 4. 발명의 중요한 용도 반도체 소자의 캐패시터의 유전층을 어닐링시키는데 이용됨.