SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATING METHOD

• Main Authors: YABUKI, MOTO, HACHIYA, DAKAYO, KAMIJOU, HIROYUKI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.12.2000
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은, 소자분리용 매립절연막을 CMP에 의해 평탄화 하는 경우에 있어서, 간편한 방법에 의해 평탄화를 양호하게 행할 수 있도록 하는 것을 가장 주요한 특징으로 한다. 예컨대, Si기판(11)의 凸부(12)의 상면에 다결정 Si막(13)을 형성하는 공정과, 그 Si기판(11)상의 전면에 매립절연막(17)을 형성하는 공정, 이 매립절연막(17)의 凹부의 표면에 카본막(18)을 형성하는 공정, 이 카본막(18)을 스토퍼층에 CMP에 의해 상기 매립절연막(17)을 연마하여 그 표면의 凹凸을 완화시키는 공정 및, 상기 카본막(18)을 제거한 후, 상기 다결정 Si막(13)을 스토퍼층에 재차 CMP에 의해 상기 매립절연막(17)을 연마하여 그 표면을 평탄화 하는 공정으로 되어 있다. According to the present invention, to flatten the surface of a silicon substrate by polishing an element isolating buried insulation film by chemical mechanical polishing, a polysilicon film is formed on the top surface of a projection of a silicon substrate. After that, a buried insulation film is formed all over the silicon substrate along the irregularities thereof. A carbon film is formed on the surface of a recess of the buried insulation film. Using the carbon film as a stopper, the buried insulation film is polished by the chemical mechanical polishing to ease the irregularities of the surface of the polished insulation film. Then the carbon film is removed and, using the polysilicon film as a stopper, the buried insulation film is polished by the chemical mechanical polishing to flatten the surface of the polished insulation film. Thus, the flatness of the buried insulation film can easily be controlled, and the surface of the silicon substrate can always be flattened satisfactorily.