PIN DIODE

• Main Authors: O'BRYAN, HENRY MILES, JR, ZYDZIK, GEORGE JOHN, SIVCO, DEBORAH LEE, LOPATA, JOHN, BERGER, PAUL RAYMOND, DUTTA, NILOY KUMAR, CHO, ALFRED YI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 15.11.2000
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은 10∼40nm 두께의 얇은 반투명 금속층과 90∼60nm 두께의 투명카드뮴 주석 산화물(CTO) 층으로 구성된 광학적으로 투명한 화합물 상부 전극을 가지는 핀 InGaAs 광다이오드에 관한 것이다. 상기 금속층은 반도체 표면에 대해 비합금 오믹 접촉을 이루며, CTO 층을 반응성 마그네트론 스퍼터링하는 동안 반도체와 CTO 사이에서 플라즈마내의 O로 인한 반도체의 산화를 방지하는 장벽 역할을 하고, 반도체와 CTO 사이에 p-n 접합이 형성되는 것을 방지한다. 상기 CTO는 n 또는 p 접점, 광학적 개구부, 반사 방지막의 기능을 수행한다. 상기 상부 전극은 또한 활성층이 그늘지게 하지 않으므로 입사광이 더 많이 수집될 수 있다. 상부 전극은 비합금이므로 i-영역으로의 확산이 일어나지 않아 암전류가 증가하지 않는다. This invention pertains to a p-i-n In0.53Ga0.47As photodiode having an optically transparent composite top electrode consisting of a thin semitransparent metal layer (24) from 10 to 40 nm thick and a transparent cadmium tin oxide (CTO) layer (25) from 90 to 600 nm thick. The metal layer makes a non-alloyed ohmic contact to the semiconductor surface, acts as a barrier between the semiconductor and the CTO preventing oxidation of the semiconductor from the O2 in the plasma during reactive magnetron sputtering of the CTO layer, and prevents formation of a p-n junction between the semiconductor and CTO. The CTO functions as the n or p contact, an optical window and an anti-reflection coating. The top electrode also avoids shadowing of the active layer by the top electrode, thus allowing greater collection of incident light. Since the top electrode is non-alloyed, inter-diffusion into the i-region is not relevant, which avoids an increased dark current.