METHOD FOR MANUFACTURING CAPACITANCE DEVICE

• Main Authors: MATSUDA, AKIHIRO, UEMOTO, YASUHIRO, NASU, TORU, NAGANO, YOSHIHISA, ARITA, KOJI
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 16.10.2000
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명의 반도체집적회로에 내장되는 강유전체막 또는 고유전율을 가지는 유전체막을 사용한 용량소자의 제조방법은, 지지기판의 일표면상에 금속막 또는 도전성산화물막으로 이루어지는 제 1전극을 형성하는 공정과, 제 1전극상에 주성분이 강유전체 또는 고유전율을 가지는 유전체로 이루어지는 제 1절연막을 소결해서 형성하는 공정과, 그 제 1절연막상에 제 2절연막을 열처리해서 형성하는 공정과, 그 제 2절연막상에 금속막 또는 도전성산화물막으로 이루어지는 제 2전극을 형성하는 공정으로 이루어진 것이다. A method of manufacturing a capacitor comprises a step of forming a first dielectric layer (5) composed of a ferroelectric material or a dielectric material possessing high permittivity on a first electrode (2), a step of sintering the first dielectric layer, a step of forming a second dielectric layer (7) on the first dielectric layer, and a step of forming a second electrode (4) on the second dielectric layer (7).