SEMICONDUCTOR

• Main Authors: NAGANO YOSHIHISA, FUJII EIJI, MATSUDA AKIHIRO, ARITA KOJI, NASU TORU
• Format: Patent
• Language: English; Korean
• Published: 01.08.2000
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

본 발명은, 강유전체막 또는 고유전율을 가진 유전체막을 용량절연막으로 하는 용량소자를 내장한 반도체장치에 관한 것으로서, 용량절연막의 끝부분의 결정성열화에 의거한 전기적특성의 열화가 없는 용량소자를 내장한 반도체장치를 제공하는 것을 목적으로 하며, 그 구성에 있어서, 반도체기판(21)의 주면(主面)에 형성된 절연막(21a)위에, 용량절연막(23)의 끝부분이 하부전극(22)의 끝부분과 상부전극(24)의 끝부분과의 사이에 위치하도록 구성된 용량소자(25)가 형성되고, 또 용량소자(25)를 씌우는 보호막(26)이 형성되어 있다. 그리고 전극배선(28)이, 보호막(26)에 형성된 하부전극(22)에 이르는 제1개구(27a) 및 상부전극(24)에 이르는 제2개구(27b)를 개재해서, 하부전극(22) 및 상부전극(24)에 각각 접속되어 있다. 이와같이 용량절연막(23)의 끝부분이 상부전극(24)의 끝부분으로부터 비어져나와 있으므로서, 에칭에 의해 손상된 용량절연막(23)의 끝부분을 사용하지 않는 용량소자를 형성할 수 있는 것을 특징으로 한것이다. A capacitor 25 is formed on an insulating layer 21a formed on a semiconductor substrate 21. The end portion of a capacitor insulating layer 23 is positioned between the end portion of a bottom electrode 22 and the end portion of a top electrode 24. A passivation layer 26 for covering the capacitor 25 is formed. Interconnections 28 are connected to the bottom electrode 22 through a first hole 27a and to the top electrode 24 through a second hole 27b. In this way, since the end portion of the capacitor insulating layer 23 is out of the end portion of the top electrode 24, the end portion of the capacitor insulating layer 23 injured by etching does not affect the capacitance.